爱尔兰丁铎尔国家研究院的科学家最近宣称他们成功制出了业内首款非节型晶体管，并称此项发明对10nm级别制程意义重大，可大大简化晶体管的制造工艺复杂 程度。这种晶体管采用类似Finfet的结构，将晶体管的栅极制成婚戒型的结构，并在栅极中心制出硅质沟道，沟道的尺寸仅有数十个原子的直径加起来那么 大。
该研发团队是由Jean-Pierre Colinge教授领导的，这种晶体管的亚阀值斜率接近理想状态，而且还具备漏电电流小，门限电压低以及耐温性好的优点，而且还可以兼容于CMOS工艺。
硅沟道中的电流由环绕在沟道周围的栅极控制，Colinge教授表示这种晶体管的结构与1925年人们提出的理想晶体管的结构非常相似，不过目前为止还没有人能够按这种结构制造出实际的器件。
目前还不知道这种技术何时能被投入实用，这项技术目前仍处于原型机研制阶段，要投入实用预计还需要等上数年。
