此前，骁龙670在Geekbench RenderScript测试中被曝出获得了6404的高分，与上一代骁龙660相比提升多大35%，接近骁龙820的水准。而且采用4个大核+4个小核的八核设计。
但今天又有外媒曝出，骁龙670将采用6核心设计，并非此前曝光的8核设计。核心采用10纳米工艺制造，两个高性能核心采用ARM Cortex-A75(Kryo 300 Gold)的定制版本，四个效能核心由ARM Cortex-A55定制的“Kryo 300 Silver”，L1缓存32KB，L2 128KB，L3 1024KB。
结合此前Roland Quant表示搭载骁龙670的测试原型机配备了4/6GB LPDDR4X内存、64GB eMMC 5.1的存储空间、WQHD 2560×1440分辨率屏幕、2260万像素后置与1300万像素前置摄像头。
从中可以看到骁龙670将会支持LPDDR4X内存、2K屏，但是骁龙660都已经支持UFS闪存，如果下代骁龙670只支持eMMC，这就有意思了。
