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消息称联电 22nm 高压制程最快明年首季试产验证,为三星代工 OLED 驱动芯片

   时间:2021-12-13 14:22:54 来源:爱集微作者:holly编辑:星辉 发表评论无障碍通道

12 月 13 日消息,据中国台湾媒体《经济日报》报道,联电与三星合作开发的 22nm 高压制程最快明年首季开始试产验证,届时将为三星代工新的 OLED 驱动 IC。

▲ 图源:经济日报

据悉,联电方面证实,22nm 高压制程正因应客户需求开发中,但无法透露客户名称。台媒分析称目前 OLED 驱动 IC 厂商中仅有三星有能力导入联电的 22nm 高压制程,最快明年第 1 季开始小量试产验证,初期产能数千片,之后逐步放大至数万片。

该报道指出,联电 22nm 制程与原来 28nm 制程相比,能够缩减 10%的晶粒面积,且拥有更佳功率效能比和更强的射频性能。22nm 高压制程则从原来可支持的 1.8V/3.3V/5V/8V 提高至最大支持 10V/18V。

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