【ITBEAR科技资讯】5月27日消息，近日有传闻称三星电子最新研发的高带宽内存(HBM)芯片在英伟达的测试中未能通过，原因是存在发热和功耗问题。然而，三星电子迅速回应并辟谣了这些传闻。
据韩媒Business Korea援引三星电子的官方声明，该公司明确表示，他们正在与全球多家合作伙伴顺利进行HBM芯片的测试。三星电子强调，他们一直与其他商业伙伴保持紧密合作，以确保其产品的质量和可靠性。这一声明似乎是对此前负面传闻的有力回应。
据ITBEAR科技资讯了解，三星最近已开始批量生产第五代HBM芯片——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的HBM3E产品。与竞争对手SK海力士和美光不同，三星在目前已量产的HBM3E上并未采用1b nm制程DRAM裸片，而是继续使用1a nm颗粒。这一选择在能耗方面相较于竞争对手可能存在一定的劣势。因此，结合近期的负面舆论，一些市场分析师对三星是否有能力迅速从SK海力士等竞争对手手中夺回市场份额表示怀疑。
尽管面临质疑，但三星电子依然坚持其产品质量和可靠性，并积极与全球合作伙伴进行测试和验证。未来，三星将如何调整其HBM芯片的生产策略，以及如何在市场竞争中保持领先地位，仍有待观察。
