【ITBEAR】中国新能源汽车市场的蓬勃发展带动了SiC功率器件需求的激增。据统计，2023年中国新能源汽车销量达到949.5万辆，同比增长37.9%，市场占有率已达31.6%。这一趋势推动了SiC功率器件的需求，因其具有高效率、耐高温和耐高压等优势，成为新能源汽车领域的理想选择。
SiC功率器件为新能源汽车带来了显著的优势，包括提升续航里程和解决补能焦虑。得益于SiC MOSFET的低导通电阻和低开关损耗，新能源汽车电机控制器的损耗有望下降70%，从而增加约5%的行驶里程。同时，随着充电功率的提升，预计到2025年，15分钟内可充满80%的电能。
然而，随着全球SiC材料产能的快速扩张，预计到2026年市场将出现产能过剩。尽管如此，中国厂商在SiC技术上持续迭代，已达到与国际一线厂商比肩的水平。目前，国产SiC器件技术水平与国外差距正在迅速缩小，国内SiC产业链日趋完善。
在SiC功率器件市场，国外厂商仍占据主导地位。据数据显示，2023年全球碳化硅功率器件市场中，意法半导体、安森美等前五大供应商约占市场营收的91.9%。相比之下，国产SiC MOSFET出货销售额仍处于较低水平。
面对激烈的市场竞争和即将到来的产能过剩，国产厂商正加大投入，提升技术水平和产能。据统计，目前国产SiC的产能规划投资总计约1000亿元人民币。预计到2026年，国内SiC衬底产能将满足约3000万辆新能源汽车的需求。
国产SiC器件在技术水平上已接近国际头部企业。以清纯半导体为例，其SiC MOSFET产品Rsp已达到国际先进水平，并在某些参数上表现更优。清纯半导体的产品还表现出领先的串扰抑制能力和更低的开关损耗。
随着SiC市场竞争的加剧，国产厂商需降低成本、提高产品性能以脱颖而出。在材料方面，可通过发展更大尺寸的SiC材料和提升良率来摊薄成本。在器件方面，需设计更低比导通电阻的水平，并提高可靠性。
目前，国产SiC器件在光储充领域的国产替代已大批量应用，并成功推进2-3年。虽然国产车规级SiC MOSFET在乘用车主驱应用上仍依赖进口，但预计未来2-3年后局面将大幅改善。
激烈的市场竞争将促使国内SiC半导体产品价格快速下降、质量提高、产能扩大。主驱芯片国产替代已经起步，并逐步上量，最终有望主导全球供应链。
