【ITBEAR科技资讯】06月06日消息，台积电已经开始为试产2nm工艺芯片做准备，标志着该公司工艺正式进入GAA晶体管时代。2nm工艺将采用纳米片晶体管(Nanosheet)取代传统的鳍式场效应晶体管(FinFET)。预计与3nm芯片相比，2nm芯片在相同功耗下可提供10%至15%的速度提升，或在相同速度下降低25%至30%的功耗。
消息人士表示，台积电计划在2025年前开始大规模生产2nm芯片。据今年4月份供应链消息透露，台积电的2nm工艺将于2025年下半年在新竹市宝山乡的生产线开始量产。目前，台积电已经派遣工程师和支持人员前往竹科宝山研发工厂，为2nm工艺试产做准备。预计将组建一支由1000多名专家组成的研发团队，在竹科宝山晶圆20厂率先进行大规模生产。
据ITBEAR科技资讯了解，一旦2nm工艺实现量产，苹果和英伟达预计将成为台积电的首批客户，这将给三星等竞争对手带来巨大的压力。台积电的2nm计划可能与三星展开正面竞争，去年三星击败了台积电，成为首家广泛采用3nm工艺的芯片制造商，该公司也计划在2025年量产2nm芯片。
从长远来看，台积电的2nm工艺的推出将在芯片制造行业产生深远的影响。该工艺的性能提升将为各种应用领域带来更快、更高效的芯片解决方案。这一举措不仅推动了台积电的技术发展，也将进一步促进全球半导体行业的竞争与创新。
值得注意的是，虽然本文对台积电的2nm工艺进行了报道，但由于该工艺尚未量产，具体性能和市场表现仍需进一步观察和验证。
