近期，全球DRAM市场格局发生了显著变化。据市场研究机构此前披露的数据，得益于人工智能领域对高带宽存储器（HBM）需求的激增，SK海力士在今年一季度实现了97.18亿美元的DRAM业务营收，成功超越了三星电子的91亿美元，首次登顶全球DRAM季度营收榜首。
这一变动引发了业界的广泛关注。三星电子，作为长期占据DRAM市场领先地位的巨头，自然不甘落后。据外媒最新报道，三星电子正全力以赴，力求重新夺回全球第一大DRAM厂商的地位。
三星电子在DRAM技术上的最新进展为其重返巅峰提供了有力支撑。据报道，三星电子下一代DRAM的良品率已显著提升，目前正在加速推进量产进程。这一积极变化被视为三星电子恢复其在存储芯片领域霸权的强烈信号。
尤为三星电子在HBM4的发展上也取得了显著进展。作为高带宽存储器的关键部件，DRAM技术的提升对HBM4的发展具有重要影响。三星电子已明确表示，计划在今年内开始量产HBM4，这无疑将进一步巩固其在高端存储器市场的地位。
据了解，三星电子良品率大幅提升的下一代DRAM产品属于10nm级的第六代DRAM。在上月的晶圆性能测试中，该产品的良品率达到了50%至70%，与去年不到30%的良品率相比，实现了质的飞跃。这一显著进步为三星电子在DRAM市场的未来发展奠定了坚实基础。
