人工智能浪潮引发的芯片投资热潮正从逻辑芯片领域向内存市场加速扩散。摩根士丹利最新研报指出，闪存（NAND）市场已进入长期上升周期的初始阶段，其供需格局的剧烈变化将催生显著投资机遇。受AI数据中心建设驱动，三星电子本周率先将DRAM内存价格上调30%，闪存产品交货周期延长至半年以上，美光科技、闪迪等厂商随即跟进调价。
半导体行业周期性转折特征在内存领域尤为明显。费城半导体指数显示，当前市场正处于"乐观阶段"，内存周期与逻辑芯片周期在AI时代出现阶段性脱钩后，正呈现明显追赶态势。库存水平恢复至健康区间成为关键支撑，制造业景气度指标ISM PMI与非AI半导体收入增长的正相关性，进一步印证行业复苏预期。
价格走势方面，市场可能经历"双底"调整过程。TrendForce数据显示，2025年第二季度DRAM与闪存合同价格已上调，其中PC用DRAM均价预计上涨3-8%。但第四季度部分品类价格可能持平或微跌，直至2026年迎来更强劲上涨。闪存市场因其供需扭转幅度更大，被机构视为更具潜力的投资领域。
企业级固态硬盘（eSSD）需求呈现爆发式增长。云服务提供商为应对AI推理业务扩张和机械硬盘供应短缺，提前数月启动2026年存储设备采购谈判。主要客户近线型eSSD订单量已达200EB，叠加150EB的AI相关需求，远超市场此前预期。即便按最乐观模型预测2026年出货量仅90EB，仍将存在7%的供应缺口，这为价格持续上行提供坚实基础。
供给端扩张保持高度克制。2026年闪存晶圆厂设备资本支出预计达138亿美元，但复苏速度明显落后于DRAM领域。制造商在经历长期亏损后，维持严格资本纪律，优先将资源投向利润率更高的DRAM业务。这种审慎的产能扩张策略，使得闪存有效供给难以快速匹配需求增长，进一步强化价格上行预期。
具体投资标的方面，纯闪存制造商铠侠凭借BiCS-8技术优势，在eSSD市场占据有利地位，财务杠杆虽高但上行周期中盈利弹性显著。闪迪作为价格整体上涨的主要受益者，新一代BICs8产品有望提升其市场份额，估值模型显示股价存在较大上升空间。三星电子、SK海力士等综合型厂商将享受存储市场整体走强红利，模组制造商江波龙、群联等同样具备价格传导能力。
长江存储的产能扩张对全球市场影响有限。其2026年全球供应份额预计从12%提升至15%，但增量产能主要面向国内市场，难以改变国际供需格局。闪存合同定价估算显示，继2025年第四季度接近双位数涨幅后，2026年上半年综合价格还将上涨15-20%，显示市场对长期涨势的强烈信心。
