随着全球科技巨头在人工智能领域的角逐日益激烈，作为核心组件的高带宽内存（HBM）正经历前所未有的价格飙升。据行业消息，三星电子与SK海力士近期在续签HBM3E 12层产品供货协议时，向现有客户提出了超过50%的涨价幅度，新客户则面临更高报价门槛。
这款备受关注的存储芯片此前单颗价格约300美元（按当前汇率折合人民币2105元），而近期续约企业需支付近500美元（约合人民币3508元），涨幅超过六成。市场观察人士指出，HBM3E的实际成交价已逼近下一代产品HBM4的定价区间，形成技术迭代前的特殊价格倒挂现象。
作为通过垂直堆叠动态随机存取存储器（DRAM）制成的特种芯片，HBM自今年下半年开启涨价通道后持续攀升。特别是在全球大型AI企业全面展开算力竞赛的背景下，有业内人士形容其价格走势"犹如火箭升空"。这种存储器凭借超高带宽特性，已成为训练大语言模型和运行复杂AI应用的必备硬件。
供应链消息显示，两大存储巨头短期内难以缓解供应紧张局面。三星虽计划将部分NAND闪存生产线改造为DRAM产线，但在HBM2即将量产的关键阶段，产能调配面临技术挑战。SK海力士则需等待明年下半年新工厂投产后，才能实现有效增产。这种供需失衡状态预计将持续影响市场价格走势。
技术专家分析指出，HBM制造涉及TSV（硅通孔）等先进封装技术，生产良率控制难度远高于传统存储器。随着AI芯片对内存带宽需求呈指数级增长，HBM3E等高端产品的供应缺口可能进一步扩大，这为价格持续走高提供了基本面支撑。
