科技媒体ZDNet Korea近日发布消息称，全球知名存储芯片制造商SK海力士正筹划在美国印第安纳州西拉斐特建设首条2.5D先进封装量产线，选址位于其美国首个生产基地内。该项目总投资额达38.7亿美元，按当前汇率折算约合271.15亿元人民币，计划于2028年下半年正式投入生产。
该工厂被定位为"AI内存先进封装生产基地"，标志着SK海力士战略转型迈出关键一步。作为全球第三大DRAM供应商，该公司正试图突破传统HBM（高带宽内存）供应商的定位，向产业链下游的先进封装领域延伸。此举将使其业务范围从提供内存组件扩展至生产完整的AI芯片模块。
2.5D封装技术被视为高性能AI芯片制造的关键环节。该技术通过在芯片与基板之间引入硅中介层，将HBM与GPU、CPU等逻辑芯片进行三维集成。这种设计可使数据传输速度提升数倍，同时将功耗降低30%以上。目前全球仅台积电、英特尔等少数企业掌握该技术核心工艺。
驱动SK海力士布局封装领域的另一重要因素是质量管控需求。当前HBM芯片需集成到2.5D封装后才能进行最终测试，这种"先集成后测试"的模式导致故障责任难以界定。当出现良率问题时，无法快速判断是内存芯片本身缺陷还是封装工艺问题，这严重影响了产品交付周期。通过自建封装产线，SK海力士可实现从晶圆制造到封装测试的全流程控制。
内部测试闭环的建立将带来双重优势：一方面可确保HBM芯片与封装工艺的完美适配，将良率风险降低至少15%；另一方面能缩短产品验证周期，使新产品的上市时间提前3-6个月。这种质量管控模式已帮助三星电子在HBM3市场竞争中占据先机，SK海力士此举显然意在反超。
针对媒体报道，SK海力士在官方声明中表示："公司正在评估印第安纳工厂的多种运营方案，具体实施计划尚未最终确定。"但据供应链消息人士透露，该产线将优先满足英伟达等AI芯片巨头的订单需求，初期设计产能可达每月1万片晶圆，后续可根据市场需求扩展至3万片。
行业分析师指出，SK海力士的垂直整合战略将重塑全球AI芯片供应链格局。随着HBM4等新一代产品的研发推进，掌握封装核心技术的企业将在市场竞争中占据主导地位。预计到2030年，2.5D/3D封装市场规模将突破300亿美元，SK海力士的提前布局有望使其在该领域占据15%以上的市场份额。
