全球存储芯片巨头美光科技今日宣布，将在新加坡启动一座具有里程碑意义的NAND闪存晶圆厂建设项目。这座采用双层设计的现代化工厂，不仅是新加坡半导体产业的首个多层晶圆制造基地，更以240亿美元的十年投资规模引发行业关注。按当前汇率计算，该笔投资相当于约1671.65亿元人民币。
作为美光全球战略布局的重要支点，新加坡现有生产基地已承担着关键NAND闪存制造任务。此次新建项目将新增70万平方英尺（约65032平方米）的洁净室空间，其生产规模与工艺水平将直接服务于人工智能领域爆发式增长的存储需求。值得注意的是，该晶圆厂将与美光同期推进的高带宽内存（HBM）先进封装工厂形成协同效应，共同构建覆盖存储芯片全链条的制造体系。
根据建设规划，这座双层晶圆厂预计于2028年下半年正式投入量产。项目采用垂直空间拓展的创新设计，在有限土地资源上实现产能最大化布局，这种突破传统平面布局的建造模式，为半导体制造业提供了新的发展范式。业内人士分析，随着AI算力需求的指数级增长，美光通过双线投资强化存储芯片供应能力，将有效缓解市场对高端存储产品的供需矛盾。
新加坡经济发展局相关负责人表示，美光持续加码本地投资，不仅巩固了该国在全球半导体供应链中的枢纽地位，其创新的双层晶圆厂设计更为区域产业升级提供了示范样本。随着项目进入实质建设阶段，预计将创造超过2000个专业技术岗位，并带动上下游产业链形成集群效应。
