近期，科技行业围绕苹果与英特尔的合作传闻展开热烈讨论。据证券机构透露，苹果正考虑将部分M系列处理器及非Pro版iPhone芯片的代工业务交由英特尔负责，具体计划在2027年推出的低端M系列芯片和2028年iPhone标准版芯片中采用英特尔18A-P工艺。
为推进合作评估，苹果已与英特尔签署保密协议，并获取了18A-P工艺的PDK（工艺设计套件）样本。该工艺作为英特尔首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的节点，可通过TSV技术实现多芯片垂直堆叠，被视为英特尔在先进制程领域的重要突破。
然而，行业内部对英特尔代工iPhone芯片的前景普遍持谨慎态度。核心争议聚焦于BSPD（背面供电）技术的应用差异：台积电采取选择性部署策略，仅在部分工艺节点采用该技术以完善产品组合；而英特尔则在其最先进的18A和14A工艺中全面应用BSPD。
BSPD技术通过缩短背面供电金属路径降低电压降，理论上可提升芯片工作频率的稳定性。但对于移动设备芯片而言，这种性能提升幅度有限。更关键的是，该技术会引发显著的自发热问题——垂直散热效率低下叠加横向散热受限，在依赖空气散热或存在温度限制的场景中几乎无法有效解决。
基于散热难题，多位行业分析师认为英特尔短期内难以获得iPhone芯片代工订单。不过他们同时指出，M系列处理器因应用场景对散热要求相对宽松，仍存在与英特尔合作的可能性。这场技术路线之争，或将重塑全球半导体代工市场的竞争格局。
