据行业分析机构SemiAnalysis发布的最新报告，在下一代高带宽内存（HBM4）市场竞争中，韩系厂商SK海力士与三星已占据绝对优势，而美光科技因技术路线选择失误，可能彻底失去英伟达Rubin芯片的订单，市场份额或将归零。
报告显示，英伟达Rubin平台的HBM4供应格局已基本确定：SK海力士预计获得约70%的订单，三星则拿下剩余30%，两家韩企将完全垄断这一高端市场。这一结果与美光此前在HBM3市场的表现形成鲜明对比，其技术路线风险成为主要败因。
美光坚持自主设计制造HBM4基础裸片（Base Die），试图通过垂直整合降低成本并掌控供应链。然而，这种"单打独斗"模式导致产品出现严重散热问题，且引脚速度（Pin Speeds）未能达到英伟达标准。与选择台积电合作的SK海力士、拥有自家逻辑代工能力的三星相比，美光在关键性能指标上逐渐落后。
时间因素进一步加剧了美光的困境。英伟达Vera Rubin芯片已进入全速生产阶段，供应链名单基本锁定。尽管美光计划在2026年第二季度重新提交优化后的设计进行资格测试，但已错过最佳合作窗口期。分析人士指出，芯片厂商与内存供应商的协同开发通常需要提前18-24个月启动。
三星则成为最大受益者之一。该公司率先解决了HBM4的引脚速度难题，成功摆脱HBM3时代的交付延误阴影。市场预计其市场份额将稳定在20%-30%区间，与SK海力士形成双雄格局。这场竞争再次证明，在先进制程领域，单一企业的技术闭环难以匹敌产业链协同优势。
