近期，存储芯片市场迎来显著价格波动，动态随机存取存储器（DRAM）与NAND闪存（NAND Flash）两大核心产品价格持续攀升。据市场研究机构披露，这两类芯片的平均价格在最近统计周期内均实现两位数环比增长，其中DRAM涨幅达13%，NAND闪存涨幅为12.7%，创下近年来单月涨幅新高。
细分产品中，个人电脑通用型DRAM表现尤为突出。以DDR4 8Gb 1G×8规格为例，其平均价格已涨至每片13美元，环比增幅13%。而用于存储卡的128Gb 16G×8 MLC规格NAND闪存，价格则升至12.67美元。值得注意的是，高端产品合约价涨幅更为惊人——DDR4 8GB与DDR5 16GB产品的季度合约价分别飙升120%和118%，达到85美元和140美元。
供应端紧张局势成为价格上扬的主要推手。工业设备、汽车电子及通信网络等高可靠性需求领域，对单层单元（SLC）和多层单元（MLC）NAND闪存的需求持续旺盛，但相关产品产能增长滞后。其中，MLC产品价格涨势最为迅猛：128Gb型号环比暴涨33.9%，32Gb和64Gb型号分别上涨29.4%和21.2%，部分型号甚至出现供不应求的局面。
市场分析指出，多重因素叠加导致本轮涨价潮。一方面，全球半导体供应链调整周期较长，原材料成本上升与物流压力持续存在；另一方面，数据中心建设加速、5G设备普及以及新能源汽车渗透率提升，共同推高了对存储芯片的长期需求。部分厂商虽已宣布扩产计划，但产能释放仍需时间，短期内市场供需失衡状态难以根本改善。
