三星电子在半导体存储领域持续发力，近期在第七代高带宽内存HBM4E及下一代DRAM技术研发上取得重要突破。公司首席技术官Song Jai Hyuk在设备解决方案部门内部会议上披露，HBM4E的可靠性测试良率已突破70%大关，较行业普遍认可的80%成熟标准仅一步之遥。这一进展标志着该产品正式进入研发稳定期，为其量产铺平道路。
作为HBM4的升级版本，HBM4E的研发进程备受关注。三星今年2月率先实现HBM4量产出货，5月又向主要客户送样12层堆叠的HBM4E技术样品。根据规划，HBM4将搭载于英伟达下半年推出的Vera Rubin AI加速器，而性能更强的HBM4E则锁定明年发布的Vera Rubin Ultra等新一代产品。目前客户评估工作进展顺利，为三星量产计划提供了有力支撑。
在DRAM技术赛道上，三星同样展现领先优势。其开发的10纳米级第七代D1d工艺被评估为具备显著技术竞争力，研发团队正以11月通过生产准备就绪审批（PRA）为目标加速推进。作为HBM5及后续产品的核心配套工艺，D1d的顺利研发不仅将提升下一代DRAM性能，更会通过工艺协同效应强化HBM产品的市场竞争力。
值得关注的是，三星半导体业务内部正酝酿薪酬体系改革。尽管公司已为设备解决方案部门设立占营业利润10.5%的特殊经营绩效奖金，但内存业务部与研发中心、系统LSI等部门间的奖金差距引发员工不满。有研发人员指出，公司需要建立更合理的激励机制，充分认可技术创新对业务增长的贡献。这场内部讨论折射出半导体行业人才竞争加剧背景下，企业平衡短期收益与长期技术投入的新挑战。
