三星电子近日在首尔瑞草总部举行的2026三星先进晶圆代工生态论坛上，公布了其半导体工艺的最新进展。三星晶圆代工事业部设计平台开发副总裁申钟信在演讲中确认，1.4纳米制程（SF1.4）将于2029年进入量产阶段，其优化版本SF1.4+则计划在2030年实现量产。这一时间表较此前规划的2027年量产1.4纳米有所推迟，反映出三星在先进制程研发中采取了更为稳健的策略。
在工艺路线调整方面，三星的1.4纳米量产时间晚于台积电的A14工艺，后者预计在2028年投产。与英特尔的14A工艺相比，三星的节奏更为接近，英特尔计划在2028年试产、2029年量产。申钟信解释称，SF系列工艺的后缀“+”代表通过设计工艺协同优化（DTCO）技术实现IP复用和性能、功耗、面积（PPA）的综合提升。以SF2到SF2P的升级为例，超过一半的性能改善（包括功耗降低26%、主频提升15%）得益于DTCO技术的应用。
三星同步披露了2纳米工艺的完整演进路径，包括从SF2到SF2P、SF2P+（目标2027至2028年量产）以及专攻人工智能和高性能计算（AI/HPC）的SF2X。这一系列工艺均保持IP兼容性，为芯片设计企业提供了更灵活的选择。在4纳米工艺方面，三星展示了其制造的LPU芯片，该芯片内置超过500MB的片上SRAM，远超英伟达Rubin GPU的128MB容量，显著提升了AI算力的能效表现。
论坛还重点介绍了三星与本土企业的合作成果。AD科技、Gaon Chips、Coasia Nexel、SemiFive以及Rebellion等企业正在推进AI、高带宽内存（HBM）封装和3D集成电路（3D IC）等项目。其中，Rebellion的4纳米量产芯片Rebel-100成为合作亮点之一。这些合作项目旨在完善三星的代工生态体系，提升其在全球半导体产业链中的竞争力。
