铠侠与闪迪联合研发的第十代BiCS FLASH 3D闪存技术迎来重要进展，双方宣布已启动1Tb容量TLC颗粒的样品交付程序。这款基于332层堆叠架构的新品由铠侠日本岩手北上Fab2晶圆厂制造，在存储密度、能效表现等核心指标上实现显著突破。
技术层面，BiCS10延续了前代产品采用的CMOS直接键合到阵列（CBA）与节距选通（OPS）两大创新架构。通过优化三维堆叠工艺，该产品达成29Gb/mm²以上的存储密度，较上一代BiCS8提升59%，单位面积存储容量实现跨越式增长。这一突破得益于更精密的层间堆叠技术与晶体管结构优化。
性能参数方面，新品支持Toggle DDR6.0接口标准与SCA协议，配合PI-LTT技术将I/O接口速率提升至4800MT/s。在功耗控制领域，读取操作能效提升30%的同时输出功耗降低34%，写入能效提高18%且输入功耗减少10%。这种能效比的全面提升，使其在数据中心、移动设备等对功耗敏感的场景中具备显著优势。
制造工艺上，铠侠采用改进后的3D NAND制造流程，通过优化化学气相沉积（CVD）与光刻工艺，在保持晶圆良率的前提下实现更高层数堆叠。据技术文档披露，332层堆叠结构使单个存储单元的物理尺寸缩小至前代的72%，同时通过改进的电荷捕获层设计延长了数据保持时间。
市场分析指出，随着AI计算、5G通信等领域的快速发展，全球对高密度、低功耗存储解决方案的需求持续增长。BiCS10的量产将强化铠侠-闪迪联盟在3D NAND市场的技术领先地位，其性能指标已达到行业前沿水平，有望在高端固态硬盘、企业级存储等领域获得广泛应用。
