SK海力士首席执行官郭鲁正在近期访谈中指出，全球DRAM市场正步入前所未有的供应紧缩周期，内存产品供需失衡状态或将延续至2030年之后。他强调，当前客户需求呈现持续攀升态势，而行业产能扩张速度明显滞后，这种结构性矛盾将在2025年达到历史峰值。
据这位半导体行业领军人物分析，尽管企业已启动多项扩产计划，但受制于设备交付周期延长、关键材料供应波动等因素，产能爬坡速度难以匹配市场需求增速。他特别提到，数据中心建设加速、人工智能技术普及以及汽车电子化转型，正在创造新的内存需求增长点，这些领域对高性能DRAM产品的依赖度显著提升。
在谈及全球产业布局时，郭鲁正透露美国仍是新建晶圆厂的重点考察区域，但选址决策需综合评估多项关键要素。他列举了土地资源储备、能源供应稳定性、水资源保障能力、专业技术人才储备以及综合制造成本等五大核心指标，强调只有同时满足这些条件的地区才会进入最终候选名单。
针对市场关注的产能建设进展，这位高管表示企业正在通过技术升级和工艺优化提升现有产线效率，同时加速推进EUV光刻机等先进设备的导入。但他坦言，这些改进措施只能部分缓解供应压力，要实现供需平衡仍需全行业共同扩大投资规模。数据显示，过去三年全球DRAM产能年均增长率不足5%，而同期市场需求增速持续保持在两位数水平。
