长电科技近日宣布，其与合作伙伴成功完成了一项具有突破性的技术试制——1.5μm小孔径、17μm深度、深宽比达11.3:1的硅通孔（TSV）样品。这一成果标志着企业在先进封装领域的技术研发迈出了重要一步，为未来高端芯片集成提供了关键工艺支撑。
此次试制聚焦于深硅刻蚀、孔壁绝缘层沉积、阻挡层与种子层沉积以及铜填充等核心环节。与常规大孔径TSV相比，1.5μm的微小孔径对工艺精度提出了严苛要求：深硅刻蚀需实现纳米级控制，孔壁介质层与金属层必须实现无死角覆盖，铜填充过程则需避免任何缺陷产生。这些技术挑战的攻克，体现了长电科技在微纳制造领域的深厚积累。
该技术的突破具有双重战略价值。在研发能力层面，长电科技由此掌握了业界领先的小孔径高深宽比TSV全流程工艺，覆盖从设计验证到协同制造的完整链条。在应用拓展层面，这项成果为晶圆级封装和硅基互连技术开辟了新空间，特别是为开发完整硅中介层（Si Interposer）制备方案奠定了技术基础。
从产业应用视角观察，高深宽比TSV技术主要服务于两大前沿领域。在3D堆叠集成方向，通过在下层晶圆或芯片内部构建垂直互联通道，可实现多层芯片的立体堆叠，显著提升系统集成度与性能密度。在硅基互连领域，该技术与再布线（RDL）、微凸点、晶圆级封装等工艺协同，可为2.5D集成、多芯粒互连以及高带宽存储器（HBM）等高端应用提供关键工艺解决方案。
据技术团队介绍，此次试制过程中形成的工艺规范与质量控制体系，已形成可复用的技术模块。这些模块将加速推动TSV技术与现有封装平台的融合，为应对未来芯片集成度持续提升、信号传输密度指数级增长的技术挑战提供有效路径。
