存储行业三大巨头围绕下一代内存的较量正趋于白热化，最新的比拼焦点落在了良率上。据韩国媒体Chosun Biz援引业界消息报道，SK海力士的第六代高带宽内存HBM4良率已经突破70%大关，其与三星电子、美光之间的竞争有望因此进一步升温。
不过，SK海力士官方并未对这一良率数字作出正式确认。HBM4的制造难度明显高于以往各代产品，能否在量产初期就把良率稳定在较高水平，被业界视为决定大规模生产竞争力的关键变量。
从产品特性看，HBM4通过把多颗DRAM芯片垂直堆叠，实现数据处理速度和带宽的跃升，是高带宽内存的下一代形态。与标准DRAM只需完成单颗芯片制造不同，HBM的生产链条要漫长得多，从芯片制造到堆叠、封装，再到最终测试，环节众多。良率一旦偏低，同样的资源只能换来更少的产品，制造成本也会随之被推高。
正因如此，“超过70%”这一数字引发了行业观察人士的高度关注。按照相同口径测算，良率从60%提升至70%，相当于在同等生产投入下多获得约16.7%的商品单位。当然，现实生产中还需在产品性能、制造成本与客户需求之间反复权衡。业内目前形成的共识是，HBM4初期批量生产的良率表现与稳定供应能力，将在很大程度上左右各家市场份额的排位。
SK海力士此前释放的信号与上述报道大体吻合。在10月28日举行的第三季度财报电话会议上，该公司表示HBM4在前段和后段流程的良率均位居业内最优行列，实际进展超出最初计划，内部目标也因此被相应上调。
追赶者的脚步同样不慢。今年9月，市场上有观点估计三星电子的HBM4良率已攀升至80%左右，美光也在持续加码HBM4的推广。对在HBM3E市场占据优势的SK海力士而言，要在下一代产品上守住领先位置，光靠性能远远不够，良率与产能同样缺一不可。
