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十铨成功开发可超频 DDR5 内存:电压支持到 2.6V 以上,超频空间更大

   时间:2021-03-26 16:25:20 来源:IT之家作者:孤城评论:0无障碍通道

  3 月 26 日消息 根据十铨官方的消息,十铨科技在完成标准型 DDR5 U-DIMM 及 SO-DIMM 并与板厂合作验证后,今日宣布进程有崭新突破:旗下 T-FORCE 品牌成功打造出 DDR5 超频内存,并第一时间送样华硕、华擎、微星、技嘉等四大板厂相关部门进行超频能力测试合作。

  据了解,DDR5 超频内存在升级 PMIC(Power Management IC)后拥有更大幅度的电压调整空间,开发阶段进入到超频后,此 PMIC 可提供 2.6V 以上的电压增加内存高频驱动能力。在 DDR5 以前的世代,电压转换是由主板控制,而进入到 DDR5 后将组件移至内存本身,电压转换将由内存处理,不仅减少电压损耗,还可减少噪声产生,让超频空间相比于过去能拥有更大幅度的提升,带来更强大的运算能力。

  十铨科技表示,T-FORCE 将承袭 DDR4 时期强大的品牌技术力量,持续探索 DDR5 的超频途径,创造超越上一世代内存的性能表现,提升应用运作的可靠性。

 
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