近期，英特尔公司内部传出一项颇具颠覆性的观点，一位高层董事提出，未来的晶体管设计趋势，尤其是环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）与互补场效应晶体管（CFET）等创新技术，或将深刻改变高端芯片制造对先进光刻设备的绝对依赖，特别是针对极紫外（EUV）光刻机这一当前制造业的核心。
长久以来，ASML所生产的EUV光刻机一直是制造7纳米及以下节点高端芯片不可或缺的工具，其通过精确“投影”微小电路设计至硅晶圆上，奠定了芯片制造的基础。然而，这位董事的见解却向这一传统认知发起了挑战。
他指出，诸如GAAFET与CFET这类新型晶体管设计，不仅将在芯片制造流程中提升光刻后步骤的重要性，尤其是刻蚀技术，更可能从根本上动摇光刻在整体工艺中的核心地位。这些设计通过更为复杂的结构，如“环绕”栅极或堆叠晶体管组，对刻蚀工艺提出了前所未有的精确要求。
芯片制造的起始步骤虽仍是光刻，即将设计图案精准转移至晶圆表面，但随后的过程则涉及材料沉积与选择性刻蚀，以形成最终的晶体管与电路结构。而新型晶体管设计的三维特性，无疑对刻蚀的精准度与复杂性提出了更高要求。
具体来说，为了实现栅极的全方位“包裹”或堆叠结构的构建，芯片制造商必须在多个方向上，尤其是横向，对晶圆上的多余材料进行精细去除。这一过程不仅考验着刻蚀技术的极限，也预示着芯片制造技术的未来走向。
因此，该董事认为，未来的芯片制造技术或将迎来重大变革，重点或将从单一依赖光刻机缩小特征尺寸，转向更为复杂且关键的刻蚀工艺上。这一转变不仅是对现有技术范式的挑战，更可能开启芯片制造的新纪元。
