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2024-11-14 12:23
2024-11-12 14:25
分析师 Wu 表示，在三大 DRAM 制造商中，SK 海力士将在 2025 年产能扩张幅度最大，这主要得益于其高利润且近乎垄断的 HBM产品。 整体而言，TrendForce 预计 2025 年全行业 D…
2024-11-06 15:32
但是，SK海力士似乎没有十足的信心满足老黄，崔泰源也只是谨慎地说：“我们会努力。” 需要指出的是，黄仁勋这么急着要HBM4，可不是为了Blackwell，因为后者用的还是HBM3E，显然是为了下一代全新的R…
2024-11-05 18:59
11 月 1 日消息，三星电子存储器业务部副总裁 Kim Jae-june 在公司 2024Q3电话财报会议上确认三星正在为多个主要客户的下代 AI GPU 准备优化改进版的 HBM3E 内存。 …
2024-11-01 17:01
在 HBM4(e)16hi 产品上是否采用混合键合是一个两难问题：提前导入混合键合固然可及早经历新堆叠技术的学习曲线，确保 HBM5 20Hi 顺利量产，但也意味着额外的设备投资，此前在微凸块键合上积累的技…
2024-10-30 18:43
在这次更名中，原先的B200 Ultra变更为B300，而GB200 Ultra则调整为GB300。B300系列产品的发布时间预计在2025年第二季度至第三季度之间，而B200和GB200系列将在2024年第…
2024-10-22 19:35
快科技10月22日消息，根据TrendForce集邦咨询的最新调查，NVIDIA近期将其Blackwell Ultra产品线更名为B300系列。 例如，B300A主要针对OEM客户，预计在H200出货高峰过后…
2024-10-22 17:01
10 月 22 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，三星电子本月首次开发出 1c nm（第 6 代 10nm级）DRAM 内存 Good Die 良品晶粒，公司内部对此给予积…
2024-10-22 16:35
三星电子的HBM3E产品完全依赖于其14nm级DRAM，而竞争对手SK海力士和美光的产品则基于1nm级DRAM，这就导致了三星在HBM领域存在相对工艺劣势。 此外，三星电子在其12nm级DRAM的最初设计中…
2024-10-17 19:13
▲ 基于三星 12nm 级 DDR5 DRAM 的服务器内存条 此外三星电子在其 12nm 级（1b nm）DRAM 的最初设计中并未考虑到HBM 领域的用途，因此三星无法立即调整 HBM3E 内存的 …
2024-10-17 17:21
10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL…
2024-10-17 15:14
10 月 10 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道，行业消息称三星电子因向大客户英伟达供应 HBM3E 内存出现延迟，将2025 年底的 HBM 产能预估下调至每月 17 万片晶圆。 …
2024-10-10 13:37
10 月 10 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道，行业消息称三星电子因向大客户英伟达供应 HBM3E内存出现延迟，将 2025 年底的 HBM 产能预估下调至每月 17 万…
2024-10-10 13:14
不过，也有分析师认为，基于华为Mate 60 Pro、Pura70这两款手机，来对比竞争对手，落后应该在3-5年左右，没有10年那么长。 但后来因为被拉入黑名单后，先进设备被限制了，于是先进制造方面陷入困境…
2024-10-09 20:35
9 月 26 日消息，SK 海力士今日宣布，公司全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了现有 HBM 产品中最大的36GB 容量；公司将在年内向客户提供此次产品。公司业界率先成功量产 …
2024-09-26 09:40
9 月 24 日消息，创意电子 GUC 今日宣布其 3nm 工艺 HBM3E 内存控制器与物理层（PHY）IP 已获业界重要 CSP云服务提供商和多家 HPC 解决方案供应商采用，该 ASIC 预…
2024-09-24 18:25
8月23日消息，据媒体报道，半导体行业的三大巨头SK海力士、台积电和NVIDIA即将展开深度合作，共同开发下一代高频宽内存技术（HBM）。 这一合作计划预计将在9月的中国台湾国际半导体展（Semicon…
2024-08-23 18:15
8月22日消息，在SK Icheon Forum 2024论坛上，SK海力士副总裁RyuSeong-su宣布，该公司正计划开发一种新的HBM内存标准，该标准将比目前HBM产品快20-30倍。 Ryu …
2024-08-22 21:17
【ITBEAR科技资讯】6月17日消息，据韩媒The Elec报道，为满足日益增长的HBM3E内存需求，SK海力士正计划大幅提升其1b nm制程DRAM内存的产能。由于HBM内存对DRAM裸片的消耗量远超传统内存，因此，SK海力士的这一举措有望有效缓解当前HBM内存的供应紧张状况。该公司已设定
2024-06-17 10:46
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