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10 月 22 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，三星电子本月首次开发出 1c nm（第 6 代 10nm级）DRAM 内存 Good Die 良品晶粒，公司内部对此给予积…
2024-10-22 16:35
三星电子的HBM3E产品完全依赖于其14nm级DRAM，而竞争对手SK海力士和美光的产品则基于1nm级DRAM，这就导致了三星在HBM领域存在相对工艺劣势。 此外，三星电子在其12nm级DRAM的最初设计中…
2024-10-17 19:13
▲ 基于三星 12nm 级 DDR5 DRAM 的服务器内存条 此外三星电子在其 12nm 级（1b nm）DRAM 的最初设计中并未考虑到HBM 领域的用途，因此三星无法立即调整 HBM3E 内存的 …
2024-10-17 17:21
10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL…
2024-10-17 15:14
10 月 10 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道，行业消息称三星电子因向大客户英伟达供应 HBM3E 内存出现延迟，将2025 年底的 HBM 产能预估下调至每月 17 万片晶圆。 …
2024-10-10 13:37
10 月 10 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道，行业消息称三星电子因向大客户英伟达供应 HBM3E内存出现延迟，将 2025 年底的 HBM 产能预估下调至每月 17 万…
2024-10-10 13:14
不过，也有分析师认为，基于华为Mate 60 Pro、Pura70这两款手机，来对比竞争对手，落后应该在3-5年左右，没有10年那么长。 但后来因为被拉入黑名单后，先进设备被限制了，于是先进制造方面陷入困境…
2024-10-09 20:35
9 月 26 日消息，SK 海力士今日宣布，公司全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了现有 HBM 产品中最大的36GB 容量；公司将在年内向客户提供此次产品。公司业界率先成功量产 …
2024-09-26 09:40
9 月 24 日消息，创意电子 GUC 今日宣布其 3nm 工艺 HBM3E 内存控制器与物理层（PHY）IP 已获业界重要 CSP云服务提供商和多家 HPC 解决方案供应商采用，该 ASIC 预…
2024-09-24 18:25
8月23日消息，据媒体报道，半导体行业的三大巨头SK海力士、台积电和NVIDIA即将展开深度合作，共同开发下一代高频宽内存技术（HBM）。 这一合作计划预计将在9月的中国台湾国际半导体展（Semicon…
2024-08-23 18:15
8月22日消息，在SK Icheon Forum 2024论坛上，SK海力士副总裁RyuSeong-su宣布，该公司正计划开发一种新的HBM内存标准，该标准将比目前HBM产品快20-30倍。 Ryu …
2024-08-22 21:17
【ITBEAR科技资讯】6月17日消息，据韩媒The Elec报道，为满足日益增长的HBM3E内存需求，SK海力士正计划大幅提升其1b nm制程DRAM内存的产能。由于HBM内存对DRAM裸片的消耗量远超传统内存，因此，SK海力士的这一举措有望有效缓解当前HBM内存的供应紧张状况。该公司已设定
2024-06-17 10:46
【ITBEAR科技资讯】6月5日消息，近日，在2024年台北国际电脑展上，英伟达公司联合创始人兼首席执行官黄仁勋就有关三星HBM(高带宽内存)的认证情况发表了最新言论。他明确表示，英伟达目前仍在认证三星的HBM内存，并否认了市场上流传的“三星HBM未通过英伟达测试”的说法
2024-06-05 09:22
【ITBEAR科技资讯】5月29日消息，近日，科技媒体TechNews的一篇报道揭示了SK海力士如何在HBM(High Bandwidth Memory)市场上崛起并成为行业领头羊的内幕。据报道，SK海力士的HBM团队核心成员竟然大多来自三星，这个团队在生成式AI浪潮的推动下，成功抓住了市场机遇，助力
2024-05-29 16:00
【ITBEAR科技资讯】5月27日消息，近日有传闻称三星电子最新研发的高带宽内存(HBM)芯片在英伟达的测试中未能通过，原因是存在发热和功耗问题。然而，三星电子迅速回应并辟谣了这些传闻。据韩媒Business Korea援引三星电子的官方声明，该公司明确表示，他们正在与全球多家
2024-05-27 11:00
【ITBEAR科技资讯】5月17日消息，据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子正考虑在下一代HBM4内存中采用先进的1c nm制程DRAM芯片，以增强其产品的能效竞争力。今年年初，三星电子的代表在Memcon 2024行业会议上透露，公司有望在年底前实现1c nm工艺的大规模生产。对于HBM4，三
2024-05-17 15:25
【ITBEAR科技资讯】5月14日消息，近日，SK海力士在2024年度IEEE IMW国际存储研讨会上宣布了关于HBM4E内存的重要进展。据SK海力士技术人员Kim Kwi Wook透露，该公司计划采用1c nm工艺的32Gb DRAM芯片来构建新一代的HBM4E内存，并且预期该内存的开发周期将缩短至一年。这
2024-05-14 15:21
【ITBEAR科技资讯】5月10日消息，据韩媒The Elec披露，为强化在HBM(High Bandwidth Memory)业务领域的竞争力，三星电子已对其HBM内存开发部门实施了“双轨化”改革。此次改革的具体举措是，现有的DRAM设计团队将继续负责HBM3E内存的进一步研发，而新近在三月份成立的HBM
2024-05-10 14:15
【ITBEAR科技资讯】5月9日消息，据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子、SK海力士、美光这三大内存制造商目前正在竞相争取芯片设计巨头博通的HBM3E内存订单。这一竞争是在他们此前争夺英伟达及AMD的AI GPU/加速器用HBM3E内存合同之后的新一轮角逐。博通，这家在无厂设计企业
2024-05-09 17:55
【ITBEAR科技资讯】5月5日消息，近日，韩媒Business Korea援引分析师的话称，科技巨头英伟达可能正在巧妙地操控高带宽内存(HBM)市场，试图在两大韩国科技巨头——三星电子与SK海力士之间制造竞争。这一策略的目的，据信是为了降低自身采购成本，因为这两家公司目前是HBM
2024-05-05 15:17
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