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英伟达CEO黄仁勋驳斥传闻:三星
HBM
测试未失败,认证需耐心
【ITBEAR科技资讯】6月5日消息,近日,在2024年台北国际电脑展上,英伟达公司联合创始人兼首席执行官黄仁勋就有关三星HBM(高带宽内存)的认证情况发表了最新言论。他明确表示,英伟达目前仍在认证三星的HBM内存,并否认了市场上流传的“三星HBM未通过英伟达测试”的说法
2024-06-05 09:22
SK海力士“摘果”三星?
HBM
团队核心成员竟多来自三星!
【ITBEAR科技资讯】5月29日消息,近日,科技媒体TechNews的一篇报道揭示了SK海力士如何在HBM(High Bandwidth Memory)市场上崛起并成为行业领头羊的内幕。据报道,SK海力士的HBM团队核心成员竟然大多来自三星,这个团队在生成式AI浪潮的推动下,成功抓住了市场机遇,助力
2024-05-29 16:00
三星辟谣
HBM
芯片测试未通过传闻,坚称与全球伙伴合作顺利
【ITBEAR科技资讯】5月27日消息,近日有传闻称三星电子最新研发的高带宽内存(HBM)芯片在英伟达的测试中未能通过,原因是存在发热和功耗问题。然而,三星电子迅速回应并辟谣了这些传闻。据韩媒Business Korea援引三星电子的官方声明,该公司明确表示,他们正在与全球多家
2024-05-27 11:00
三星电子瞄准能效优势,计划在
HBM
4内存中采用1c nm制程DRAM裸片
【ITBEAR科技资讯】5月17日消息,据韩媒ZDNet Korea报道,三星电子正考虑在下一代HBM4内存中采用先进的1c nm制程DRAM芯片,以增强其产品的能效竞争力。今年年初,三星电子的代表在Memcon 2024行业会议上透露,公司有望在年底前实现1c nm工艺的大规模生产。对于HBM4,三
2024-05-17 15:25
SK海力士或将采用1c nm工艺,
HBM
4E内存容量有望进一步跃升
【ITBEAR科技资讯】5月14日消息,近日,SK海力士在2024年度IEEE IMW国际存储研讨会上宣布了关于HBM4E内存的重要进展。据SK海力士技术人员Kim Kwi Wook透露,该公司计划采用1c nm工艺的32Gb DRAM芯片来构建新一代的HBM4E内存,并且预期该内存的开发周期将缩短至一年。这
2024-05-14 15:21
曝三星电子
HBM
内存部门双轨并进,新团队主攻
HBM
4创新
【ITBEAR科技资讯】5月10日消息,据韩媒The Elec披露,为强化在HBM(High Bandwidth Memory)业务领域的竞争力,三星电子已对其HBM内存开发部门实施了“双轨化”改革。此次改革的具体举措是,现有的DRAM设计团队将继续负责HBM3E内存的进一步研发,而新近在三月份成立的HBM
2024-05-10 14:15
HBM
3E订单战愈演愈烈,三大内存巨头竞相争夺博通大单
【ITBEAR科技资讯】5月9日消息,据韩媒ZDNet Korea报道,三星电子、SK海力士、美光这三大内存制造商目前正在竞相争取芯片设计巨头博通的HBM3E内存订单。这一竞争是在他们此前争夺英伟达及AMD的AI GPU/加速器用HBM3E内存合同之后的新一轮角逐。博通,这家在无厂设计企业
2024-05-09 17:55
英伟达推波助澜:三星与SK海力士在
HBM
领域展开激烈竞争
【ITBEAR科技资讯】5月5日消息,近日,韩媒Business Korea援引分析师的话称,科技巨头英伟达可能正在巧妙地操控高带宽内存(HBM)市场,试图在两大韩国科技巨头——三星电子与SK海力士之间制造竞争。这一策略的目的,据信是为了降低自身采购成本,因为这两家公司目前是HBM
2024-05-05 15:17
台积电新一代CoWoS技术:2027年或实现12个
HBM
4E堆栈的120x120mm芯片
【ITBEAR科技资讯】4月28日消息,台积电在近日于北美举办的技术研讨会上公布了一项重大进展,他们正在积极研发CoWoS封装技术的全新版本。这一新版本的技术将使得系统级封装(SiP)的尺寸能够增大至原来的两倍以上,实现120x120mm的超大封装规模,而其功耗更是可以达
2024-04-28 11:05
华为自主研发
HBM
存储器,力求突破技术限制
【ITBEAR科技资讯】4月27日消息,据最新情报显示,为了摆脱相关制约,华为正致力于研发国产HBM存储器。据内部消息透露,华为正积极推动在中国本土构建高带宽内存(HBM)的生产线。此项举措被看作是对抗限制其人工智能和高性能计算(HPC)领域发展的关键因素。据ITBEAR科技资
2024-04-27 09:32
三星宣布将运用TC-NCF生产16层
HBM
4,并提供个性化定制服务
【ITBEAR科技资讯】4月19日消息,近日,三星半导体在其韩国官网上发布了对两位公司高管的采访内容,主要聚焦于高带宽内存(HBM)的未来发展。两位高管在采访中透露,三星正计划运用TC-NCF工艺来生产16层的HBM4内存,这标志着该公司在内存技术领域的又一重要突破。TC-NCF,
2024-04-19 14:57
SK海力士CEO郭鲁正:今年
HBM
销售占比将达两位数,中国工厂将升级至1a nm制程
【ITBEAR科技资讯】3月28日消息,SK海力士CEO郭鲁正在昨日的年度股东大会上透露,今年高性能内存HBM在公司的整体DRAM内存销售中将占据重要位置,其占比预计将达到两位数。尽管当前HBM供应情况紧张,但郭鲁正对明年的市场前景表示乐观。针对去年公司出现9万亿韩元净亏损
2024-03-28 10:32
英伟达GTC 2024:存储厂商展示
HBM
3E与三星GDDR7方案
【ITBEAR科技资讯】3月20日消息,英伟达GTC 2024大会于近日在圣何塞会议中心盛大举办,为期四天。在会议期间,全球三大存储厂商惊艳亮相,纷纷展示了各自的HBM3E解决方案,引发了业界的广泛关注。值得关注的是,三星电子在会场上首次披露了其全新的GDDR7方案,为未来的
2024-03-20 09:45
SK海力士
HBM
3E超高性能AI内存产品正式量产,全球供货启动
【ITBEAR科技资讯】3月19日消息,SK海力士近日宣布,其最新研发的超高性能AI内存产品HBM3E已开始正式投入量产,并计划从本月下旬开始向全球客户供货。这一重要进展距离去年8月公司宣布开发该产品仅过去了7个月,显示了SK海力士在半导体技术领域的强大实力和高效执行力。
2024-03-19 11:03
三星发布首款12层堆叠
HBM
3E DRAM:容量大增,带宽飞跃
【ITBEAR科技资讯】2月27日消息,三星电子近日正式发布了旗下首款12层堆叠的HBM3E DRAM,命名为HBM3E 12H。这款产品刷新了三星HBM产品的容量上限,成为该公司迄今为止容量最大的HBM产品。HBM3E 12H的最大亮点在于其带宽和容量的显著提升。据悉,该产品的全天候最高带宽
2024-02-27 13:54
美光科技开始量产
HBM
3E高带宽内存,英伟达成为首个客户
【ITBEAR科技资讯】2月27日消息,美光科技近日宣布已开始大规模生产其最新一代的HBM3E高带宽内存。据悉,这款24GB 8H HBM3E产品已被英伟达公司选中,并将应用于即将在第二季度发货的NVIDIA H200 Tensor Core GPU中。据ITBEAR科技资讯了解,美光科技的HBM3e内存基于先进
2024-02-27 09:48
英伟达斥巨资锁定
HBM
3内存供应,确保AI与HPC GPU稳定推出
【ITBEAR科技资讯】12月31日消息,据韩国Chosun Biz最新报道,英伟达在积极预定台积电产能的同时,还斥资巨大与美光和SK海力士签下了HBM3内存的供应大单。知情人士透露,英伟达此次预购的HBM3内存规模在700亿至1万亿韩元之间。尽管具体细节尚未公布,但市场普遍分析认为
2023-12-31 15:32
高带宽存储器技术崛起:三星和美光积极扩大产能
【ITBEAR科技资讯】11月8日消息,近日,面对消费级存储市场低迷,高带宽存储器(HBM)技术崭露头角,据最新报告,三星和美光两家知名公司正积极筹备扩展HBM DRAM产能,为未来的技术挑战和市场需求做好准备。三星电子不遗余力,投入了105亿韩元,完成了对其位于韩国天安市
2023-11-08 10:36
三星发布下一代
HBM
3E DRAM,Shinebolt引领AI数据中心革新
【ITBEAR科技资讯】10月21日消息,三星公司在今天的储存技术日活动上隆重亮相,发布了一系列新品,其中包括了下一代HBM3E DRAM,被命名为“Shinebolt”,旨在满足下一代AI数据中心的应用需求。据ITBEAR科技资讯了解,三星公司表示,“Shinebolt” HBM3E DRAM的每个引脚
2023-10-21 14:32
高性能内存战局升级:美光
HBM
3E与SK海力士
HBM
3E正面对决
【ITBEAR科技资讯】9月28日消息,随着科技行业的不断进步,高性能内存的竞争也在加剧。最新的消息显示,美光科技(Micron Technology)正式推出了新款HBM3E内存,这将与SK海力士的HBM3E内存展开竞争。这两家公司都致力于提供高带宽内存解决方案,以满足高性能计算和图形处
2023-09-28 14:40
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