英伟达正酝酿在其新一代Rubin处理器架构中引入重大技术革新——计划将先进封装环节的中间基板材料从传统硅基替换为碳化硅（SiC）。这一调整旨在应对芯片性能持续提升带来的散热挑战，预计最迟于2027年实现技术落地。
据行业消息，当前台积电已牵头联合多家半导体厂商，共同攻克碳化硅中间基板的制造工艺难题。尽管英伟达首代Rubin GPU仍将沿用硅基中间基板，但研发团队明确表示，随着芯片运算密度增加，当内部热流密度突破现有材料极限时，碳化硅的耐高温与导热特性将成为必要选择。
业内人士指出，碳化硅材料在半导体封装领域的应用尚处早期阶段，但其理论优势显著：相比硅基材料，碳化硅可承受更高工作温度，同时具备更优的热膨胀系数匹配性，有助于提升芯片长期运行的稳定性。此次材料升级或将成为先进封装技术发展的关键转折点。
