台积电在先进制程领域再传重大进展，其2纳米（2nm）制程技术将全面采用环绕栅极（GAA）晶体管架构，旨在实现性能与能效的双重突破。这一技术转型已引发全球半导体行业高度关注，多家头部企业正排队争取合作机会，推动台积电加速产能扩张计划。
据行业消息，台积电原规划的两座2nm晶圆厂产能在短期内被抢订一空，为满足市场需求，公司决定追加投资建设三座新厂，总投入规模达286亿美元（约合人民币2015.92亿元）。最新产能预订情况显示，2026年全年的2nm芯片生产份额已被客户提前锁定，量产时间点预计落在当年第四季度。
在客户构成方面，高通、联发科、苹果及AMD等科技巨头均已进入合作队列。台积电透露，到2026年底前，其2nm制程的月产能将提升至10万片晶圆，该技术有望成为支撑公司未来业绩增长的核心引擎。行业分析师指出，这一产能规模相当于同时满足数百万台高端智能设备的芯片需求。
技术层面，GAA架构通过纳米片堆叠设计显著增强了电流控制能力，同时有效降低漏电现象。对比前代FinFET技术，2nm制程在相同功耗下可实现10%-15%的性能提升，或在维持性能不变时降低25%-30%的能耗。这种能效比优化对移动设备、数据中心等对功耗敏感的领域具有战略意义。
值得关注的是，竞争对手三星虽已率先启动2nm GAA量产，但其公开的性能数据较3nm节点提升有限。业内普遍认为，这主要受制于当前良品率尚未达到理想水平，后续仍需通过工艺优化逐步改善。这种技术差距为台积电提供了市场切入机会。
面对技术挑战，台积电选择优先保障制程质量而非单纯追求时间优势。公司计划将2026年资本支出提升至480亿至500亿美元（约合人民币3383.36亿至3524.33亿元），创下历史新高。这笔投资除用于2nm产能扩张外，还将覆盖先进封装、材料研发等配套领域，构建完整的技术生态体系。
