作为功率半导体领域的专业分销商，倾佳电子（Changer Tech）聚焦新能源、交通电动化与数字化转型三大方向，力推国产SiC碳化硅功率器件在电力电子领域的全面应用。公司代理的基本半导体（BASIC Semiconductor）产品线涵盖SiC MOSFET单管、功率模块及驱动板等核心器件，致力于推动行业从传统硅基IGBT向碳化硅技术的升级转型。
技术演进层面，光伏逆变器正从传统两电平或三电平NPC拓扑向更高效的ANPC（有源中点钳位）和T型拓扑迈进。以应对1500V乃至2000V直流电压等级的挑战为例，行业通过采用2300V耐压等级的SiC MOSFET，简化了拓扑结构并避免了复杂串联均压电路，在提升效率的同时保障了系统可靠性。数据显示，全SiC NPC逆变器在相同功率下体积可缩小40%以上，而T型拓扑结合高压SiC器件后，导通损耗显著降低，特别适合部分负载工况下的光伏系统。
从器件物理层面看，SiC材料凭借3倍于硅的禁带宽度、10倍的临界击穿场强及3倍的热导率，在损耗机制上实现了根本性突破。以基本半导体的B3M010C075Z（750V 10mΩ SiC MOSFET）为例，其银烧结连接技术使结壳热阻低至0.20 K/W，结合TO-247-4封装引入的开尔文源极设计，有效抑制了高频开关过程中的栅极振荡。这类器件在1500V系统中的应用，使得导通电阻不随耐压等级指数级增加，从而兼顾了高压与低损耗需求。
系统级成本效益分析显示，尽管SiC器件单体成本高于IGBT，但其带来的全生命周期度电成本（LCOE）优化效果显著。例如，在320kW组串式逆变器中，采用全SiC方案可使重量减轻30%、体积缩小40%，磁性元件体积因开关频率提升而减半，散热器尺寸随总损耗降低而缩减。更关键的是，SiC逆变器在弱光或部分遮挡工况下的轻载效率优势，可在25年生命周期内带来超额发电收益，远超器件差价。
当前，行业正加速探索SiC在超大功率场景的应用潜力。以基本半导体的B3M020140ZL（1400V 20mΩ SiC MOSFET）为例，其1400V耐压裕量与低导通电阻的组合，在硅基器件中难以实现。随着8英寸晶圆产线成熟及衬底成本下降，SiC器件预计将在2025年后加速渗透，特别是在光储充一体化及新型电力系统建设中，全SiC架构有望成为光伏和混合逆变器的标准配置。
