全球半导体行业资本开支动向引发市场高度关注，花旗最新研报指出，台积电、三星、英特尔三大芯片制造商的2026年投资计划将呈现积极态势，有望推动全球晶圆厂设备（WFE）市场进入新一轮增长周期。该机构维持半导体设备行业处于第二阶段上行周期的判断，预计2026年全球WFE支出最高可达1260亿美元，较基准预测高出110亿美元。
据追风交易台披露的研报细节，花旗预测台积电将于1月15日发布的财报中，将2026年资本开支指引设定在460亿至480亿美元区间，且年内存在进一步上调空间。该机构自身模型显示，台积电实际投资额可能达到470亿美元，这一数字虽低于市场普遍预期的500亿美元，但仍显著高于其2025年400亿至420亿美元的规划区间。值得关注的是，台积电管理层在去年10月已明确表示，资本开支规模与增长机遇呈正相关，为后续投资扩张埋下伏笔。
英特尔的投资策略则呈现企稳特征。花旗预测其2026年资本开支将稳定在150亿美元水平，较2025年的180亿美元有所回落，但优于市场预期的160亿美元。这一判断主要基于其代工业务客户管线的改善，尤其是后端封装业务的增长。英特尔在去年10月的财报指引中曾透露，2026年投资规模约为160亿美元，而花旗认为随着IDM 2.0战略推进，实际资本开支将呈现结构性稳定而非持续下滑。
三星的投资决策成为市场焦点。花旗分析指出，尽管三星通常不在财报会议上披露具体资本开支指引，但其管理层已明确表示将根据AI需求增长灵活调整投资规模。该机构特别提到，竞争对手美光在2025年12月将2026财年净资本开支从180亿美元大幅上调至200亿美元，建设类投资几乎翻倍，并预告2027财年将继续扩张。考虑到三星与美光在存储芯片市场的直接竞争关系，花旗认为三星很可能采取对等投资策略以维持市场份额，其2026年资本开支存在显著上行空间。
从行业影响来看，三大巨头的投资动向具有风向标意义。花旗数据显示，这三家公司合计占其2026年全球WFE支出模型的59%，其资本开支规模直接决定设备供应商的订单景气度。该机构基准模型显示，2026年NAND存储设备支出将增长30%，DRAM增长12%，前端逻辑芯片增长6%，这种结构性增长与三大巨头的投资策略高度契合。市场分析人士指出，若三星最终跟进美光的扩产步伐，全球存储芯片市场可能迎来新一轮产能竞赛，进而带动设备行业景气度持续提升。
资本市场的预期差异值得关注。台积电案例显示，机构预测（470亿美元）与市场共识（500亿美元）存在30亿美元缺口，反映出投资者对其扩产力度的乐观预期。而英特尔的150亿美元机构预测值，则介于公司指引（160亿美元）与市场预期（170亿美元）之间，显示市场对其代工业务转型进度仍持谨慎态度。三星方面，由于缺乏官方指引，市场普遍参考美光的投资强度进行推算，这种类比逻辑可能放大短期波动性。
