美光科技移动与客户端业务部门市场副总裁Christopher Moore近日表示，受制于晶圆厂建设周期长、客户认证流程复杂等因素，全球存储器供应紧张局面预计将持续至2028年之后。这一判断与美光长期产能扩张规划形成印证，该公司纽约州首座晶圆厂计划2030年投产，第二座工厂预计2033年上线，第四座工厂则要等到2045年前后才能建成。
在产能布局方面，美光爱达荷州项目进展相对较快。其首座晶圆厂将于2027年启动DRAM生产，第二座工厂投产时间可能早于纽约首厂。但Christopher Moore强调，新建工厂需经历客户认证、满足AI客户对制程和良率的严苛要求等环节，在全部审批完成前难以实现大规模量产，显著产能释放预计要等到2028年之后。
当前存储器短缺问题存在多重制约因素。除产能建设周期外，客户对不同容量模组的多样化需求也降低了生产效率。以苹果等企业为例，当其同时订购8GB、12GB和16GB模组时，生产线需要频繁切换配置，这种柔性生产模式直接影响了整体产出规模。
AI需求爆发式增长正重塑存储器市场格局。数据中心和企业级市场在美光业务中的占比已从30%-35%跃升至50%-60%，成为核心增长引擎。据外媒Tom’s Hardware报道，美光近期调整品牌战略，退出消费级Crucial品牌，将资源集中投向企业级DRAM和SSD领域，以更好应对AI带来的高端存储需求。
面对中国存储器厂商在DDR5和HBM等先进产品领域的加速布局，美光认为这种竞争态势反而有助于推动技术进步。公司表示，来自不同地区的竞争压力将促使企业持续提升产品性能和服务能力，这种良性竞争最终有利于巩固其在全球市场的地位。
