北京铭镓半导体有限公司近日宣布完成A++轮股权融资，总额超1亿元人民币，由彭程创投、成都科创投、天鹰资本、国煜基金、洪泰基金等多家机构联合投资。本轮融资后，公司投后估值达9.1亿元，累计完成五轮融资，总金额接近4亿元。资金将主要用于氧化镓衬底技术研发与产能扩建，包括6英寸氧化镓衬底量产、2-4英寸中试产线建设，以及磷化铟多晶产线规模化扩产等项目。
作为国内超宽禁带半导体领域的领军企业，铭镓半导体在氧化镓技术上取得关键突破。公司计划新增20台套4-6英寸中试产线设备，全面达产后氧化镓衬底年产能将提升至3万片。其中，6英寸氧化镓衬底技术的研发成功，标志着产业正式迈入规模化流片制造阶段。行业专家指出，大尺寸衬底是实现高功率半导体器件量产的基础，将显著推动氧化镓在智能电网、新能源汽车、人工智能等高功率场景的应用落地。
在产业培育方面，铭镓半导体作为北京市唯一聚焦超宽禁带半导体的育新平台，承担着构建未来产业生态的重任。公司搭建了概念验证平台，整合材料制备、器件中试、应用验证全链条资源，开放3000平方米实验空间及50余套精密设备，为产业链上下游提供样品试制、性能检测、工艺优化等一站式服务。公司还与北京市高校及科研院所组建联合研发小组，加速氧化镓在无人机、5G通信等领域的商业化进程。
除氧化镓业务外，铭镓半导体的磷化铟多晶产线也迎来发展机遇。随着人工智能、大数据通信等产业需求激增，公司计划到2026年分步新增50台设备，将磷化铟年产能扩大至20吨，以满足客户订单增长需求。磷化铟作为光电子器件的核心材料，在高速光通信、太赫兹技术等领域具有不可替代性，此次扩产将进一步巩固公司在化合物半导体领域的布局。
根据QY Research发布的《全球氧化镓晶圆衬底市场报告2025-2031》，2031年全球氧化镓市场规模预计达4.3亿美元，2024-2031年复合增长率达27.6%。基于2024年市场数据，铭镓半导体在全球氧化镓晶圆衬底市场中排名第三，是国内超宽禁带半导体材料供应链自主化的重要参与者。公司通过持续的技术迭代与产能扩张，正逐步构建从材料到器件的完整产业闭环。
