半导体行业正迎来新一轮竞争格局变化，三星电子在先进制程领域的突破引发市场高度关注。据产业分析师透露，三星位于美国得克萨斯州泰勒的芯片工厂已投入超过370亿美元建设资金，其2纳米GAA（环绕栅极）工艺良率近期呈现稳定态势，这为该公司在晶圆代工市场争夺份额提供了关键支撑。
消息人士指出，三星计划于今年3月启动泰勒工厂的极紫外光刻（EUV）设备测试运行，该产线将实现从4纳米到2纳米GAA工艺的跨越式升级。这项技术突破恰逢台积电产能逼近极限，包括高通在内的多家芯片设计企业正将三星列为潜在替代方案。值得关注的是，高通与三星在先进制程领域的合作并非首次——此前骁龙888和骁龙8 Gen1均由三星代工，后因发热问题转投台积电4纳米工艺。
行业动态显示，成本控制正成为芯片设计企业选择代工厂的核心考量因素。据供应链爆料，高通为降低代工成本，计划将部分骁龙8系旗舰芯片交由三星生产。具体方案显示，即将发布的骁龙8 Elite Gen6系列中，标准版将采用三星2纳米GAA工艺，而Pro版继续使用台积电N2P工艺；2025年推出的骁龙8 Elite Gen7系列则可能全部由三星代工。
技术层面，三星2纳米GAA工艺通过改进晶体管结构，在性能提升和功耗控制方面取得突破。产业观察家认为，若三星能持续稳定良率表现，其代工报价较台积电低15%-20%的优势将形成显著竞争力。目前AMD已确认将部分芯片订单转向三星，随着高通可能回归，三星晶圆代工业务有望在2026年实现扭亏为盈。
这场制程工艺竞赛正重塑全球半导体产业链格局。台积电虽仍占据高端市场主导地位，但三星通过技术迭代和产能扩张形成的"双线作战"能力，已对现有市场格局构成实质性挑战。随着2纳米节点竞争进入白热化阶段，芯片设计企业将在技术性能、制造成本和供应链安全之间寻求新的平衡点。
