内存市场正经历一场前所未有的价格风暴。根据Counterpoint最新发布的《2月内存价格追踪报告》，2026年第一季度内存产品价格环比涨幅达到80%至90%，创下历史新高。这一轮价格飙升覆盖全品类，从服务器级DRAM到消费级NAND闪存均呈现加速上涨态势，部分高端HBM3e产品价格更是水涨船高。
驱动本轮行情的核心因素是通用服务器DRAM价格的剧烈波动。数据显示，64GB RDIMM服务器内存合约价从2025年第四季度的450美元跃升至2026年第一季度的900美元以上，季度涨幅超过100%。市场机构预测，该产品价格在第二季度可能突破1000美元心理关口，较年初实现翻倍增长。这种价格走势在内存行业历史上极为罕见，反映出供应链紧张与需求激增的双重压力。
NAND闪存市场同样出现显著变化。尽管2025年第四季度该品类价格保持相对稳定，但进入2026年后迅速补涨，季度涨幅同样达到80%至90%。这种全板块联动上涨的现象，表明内存市场已进入全面供不应求的周期。行业分析师指出，数据中心建设加速、人工智能算力需求爆发以及消费电子库存回补，是推动本轮行情的三大主要动力。
高端内存产品表现尤为突出。HBM3e作为AI服务器关键组件，其价格随着算力需求增长持续走高。部分供应商透露，由于制程复杂度提升和良品率限制，HBM3e产能扩张速度远低于市场需求，这进一步加剧了价格上行压力。市场观察人士认为，当前内存价格走势已脱离传统周期规律，呈现出由技术迭代和产业变革驱动的新特征。
这场价格风暴正在重塑全球半导体产业链格局。下游企业面临成本压力陡增的挑战，部分服务器制造商已开始调整产品定价策略。与此同时，内存原厂迎来罕见盈利窗口期，三星、SK海力士等头部企业季度利润有望创下新高。市场普遍预期，这种供需失衡状态将持续至2026年下半年，价格拐点出现时间取决于主要厂商的产能扩张进度。
