阿斯麦（ASML）近日宣布，其研究团队成功攻克关键技术难题，通过提升极紫外（EUV）光刻机光源功率，为芯片制造效率带来突破性进展。这项技术预计到2030年可使芯片产量提升最高50%，同时显著降低单颗芯片生产成本，进一步巩固其在半导体设备领域的领先地位。
据公司极紫外光源首席技术官迈克尔·珀维斯透露，研发团队已实现光源功率从现有600瓦向1000瓦的跨越。他强调："这不是实验室阶段的演示技术，而是能在真实生产环境中稳定运行的解决方案。新系统完全符合客户对可靠性、稳定性和持续运行的所有要求。"
技术突破的核心在于对光刻机核心部件——锡滴发生器的革新。现有设备通过单次激光脉冲将锡滴转化为等离子体，而新系统采用双脉冲技术，将每秒锡滴发射频率从5万次提升至10万次。这种改进使等离子体生成效率翻倍，为功率提升奠定基础。珀维斯指出："这需要同时掌握激光控制、等离子体物理和材料科学的纳米级精度，技术挑战极其严苛。"
功率提升带来的生产效益显著。阿斯麦NXE系列业务执行副总裁滕·梵高表示，升级后的设备每小时晶圆处理能力将从目前的220片增至330片。按每片晶圆可产出数百至数千颗芯片计算，这将直接推动全球芯片产能的跃升。更关键的是，极紫外光功率增强使芯片制造的曝光时间大幅缩短，相当于在单位时间内完成更多"光刻打印"作业。
技术团队已规划更长远的发展路径。珀维斯透露，在实现千瓦级功率后，已看到通往1500瓦的技术路线，理论上突破2000瓦也不存在根本性障碍。这项突破不仅涉及激光与等离子体技术的融合，更要求对材料科学、精密制造等多个领域进行系统性创新。
当前全球芯片制造竞争日益激烈，阿斯麦通过持续升级EUV光刻机核心技术，正在构建更高的技术壁垒。其双脉冲锡滴技术、高频率等离子体生成等创新方案，预计将使竞争对手难以在短期内实现技术追赶，从而进一步扩大阿斯麦在高端光刻设备市场的统治地位。
