存储芯片市场近期迎来显著价格波动，DRAM与NAND两大主流产品价格同步攀升，但未来走势呈现分化态势。其中，DRAM价格已触及阶段性高点，而NAND价格仍具备持续上涨动能。
据行业监测数据显示，2月份通用PC用DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）平均交易价格达13美元，较上月上涨13.04%，创下2016年6月以来的最高纪录。该产品自去年4月启动涨价周期后，已连续11个月保持上行态势。更值得关注的是，今年第一季度PC DRAM价格环比涨幅预计达110%-115%，远超去年第四季度38%-43%的增幅，显示价格加速冲顶特征。
市场研究机构分析指出，经过数个季度的持续上涨，DRAM现货价格已形成供需双方认可的平衡点。当前多数供应商与PC制造商已完成一季度价格谈判，合同锁定率超过九成，预计3月价格将维持2月水平。随着新增产能逐步释放，价格涨幅预计在下半年明显放缓。
NAND闪存市场则呈现截然不同的景象。用于存储卡和USB设备的通用型NAND产品（128Gb 16Gx8 MLC）2月均价跃升至12.67美元，环比涨幅达33.91%，创下连续14个月上涨纪录。行业数据显示，供应商正将产能向大容量3D NAND产品集中，导致传统SLC和MLC工艺产品供应持续收紧。
驱动NAND价格走强的核心因素来自需求端。人工智能边缘计算设备的普及与汽车电子化进程加速，使得相关存储芯片需求持续旺盛。市场研究机构预测，供需失衡状态可能延续至今年下半年，上半年价格将保持稳健上涨态势。值得注意的是，部分高端NAND产品已出现供不应求现象，部分交易价格较基准价上浮超过15%。
从产业布局看，全球主要存储芯片厂商正在调整产品结构。三星、SK海力士等企业已明确表示，将优先保障高附加值产品的产能投入，通用型存储芯片的扩产计划相对保守。这种策略性调整进一步加剧了市场对中低端存储产品的短缺预期，为价格持续上行提供支撑。
