尼西半导体科技（上海）有限公司近日宣布，其位于上海松江综保区的全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线正式投入运营。该生产线通过将晶圆厚度缩减至35微米，显著降低了功率芯片的导通电阻与热阻，为新能源汽车、5G基站等高功率密度应用场景提供了关键技术支撑，同时为国产功率器件进入高压平台及快充市场奠定了产能基础。
在工艺创新方面，尼西半导体实现了多项技术突破。晶圆加工精度被严格控制在35±1.5微米范围内，并通过化学腐蚀技术消除了92%的研磨应力损伤，使极薄晶圆的碎片率降至0.1%以下。切割环节采用定制化激光技术替代传统刀片，热影响区大幅缩小，切割良率提升至98.5%。设备参数显示，产线研磨机加工精度达0.1微米，片内厚度偏差小于2微米；激光切割机切缝宽度仅11微米，较传统工艺可提升约10%的芯片有效面积利用率。
电气性能的优化是该技术的核心优势之一。数据显示，35微米超薄晶圆工艺使载流子通行时间缩短40%，热阻较传统100微米标准产品下降60%。封装环节引入双面散热设计后，模块热阻进一步降低30%，功率循环寿命提升至原来的5倍。应用端测算表明，同等晶圆面积下芯片产出量增加20%，可实现手机快充模块体积减半，并为电动汽车电控单元减重3公斤。
产能方面，该产线测试环节单日可处理12万颗成品，键合机单日产能约400片。值得关注的是，产线中的键合、研磨、切割及解键合等核心装备均由尼西半导体与国内设备厂商联合研发，通过协同创新实现了关键设备的自主可控，填补了国内相关制造领域的技术空白。这一成果标志着我国在高端功率半导体制造领域取得了重要进展。
