SK海力士率先研发第六代10纳米级DRAM

格隆汇3月10日｜韩国芯片巨头SK海力士(SK Hynix)表示，全球率先研制出第六代10纳米级同步动态随机存取记忆体(DRAM)。SK海力士称，采用第六代10纳米级DRAM技术(1c工艺)，成功研制16Gb第六代低功耗双倍数据速率(LPDDR6)DRAM，将争取上半年内完成量产准备工作，并从下半年起开始供货。

该公司今年1月在美国举行的2026年国际消费电子展(CES 2026)上推介该产品，并于近期获得研发认证。基于1c工艺的LPDDR6产品将主要搭载于采用端侧人工智能(On-device AI)技术的智能手机、平板电脑等产品。与前款LPDDR5X相比，LPDDR6的数据速率提升33%，能耗降低20%以上。