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据报SK海力士正在考虑采用台积电的3nm工艺制造HBM4E逻辑芯片

时间：2026-03-26 16:12:18 来源：格隆汇编辑：快讯 IP：北京 发表评论无障碍通道

格隆汇3月26日｜据台湾电子时报，SK海力士正在积极评估是否在其第七代高带宽存储(HBM4E)的逻辑芯片上采用台积电的3nm制程，希望借此缩小与三星电子的性能差距。然而，业内分析师警告称，量产时程与成本问题可能对SK海力士的3nm计划带来不小风险。

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