据行业资讯披露，英伟达近期对其人工智能芯片Rubin Ultra的设计方案作出重大调整，放弃原先激进的4-Die架构，转而采用技术更为成熟的2-Die架构，预计该产品将于2027年正式面世。
所谓Die，即从完整圆形硅晶圆上通过高精度切割工艺分离出的独立单元，每个单元均具备完整集成电路功能，在业内常被称为裸片、裸晶或晶粒。
消息人士透露，英伟达此次架构调整主要受限于先进封装技术的物理瓶颈。若强行推进4-Die方案，芯片封装尺寸将出现指数级增长，其面积将突破光罩极限的8倍。这种尺寸膨胀会直接导致制造良率下降，进而推高整体生产成本。
技术团队评估后认为，回归2-Die架构方案能够在制造成本与量产效率之间取得更优平衡。该方案既保持了足够的计算性能，又避免了因封装尺寸过大引发的生产风险，符合当前半导体制造的工艺规律。
在制造工艺层面，Rubin Ultra将采用台积电最新的N3P工艺节点，并配合CoWoS-L先进封装技术。值得关注的是，英伟达并未因此调整对台积电的晶圆代工订单规模，而是通过优化投片策略，将更多产能分配给当前主流的Blackwell架构芯片。
行业数据显示，台积电3纳米制程产能正呈现爆发式增长态势。人工智能核心芯片对先进制程的需求持续攀升，预计明年该领域芯片仅占3纳米总产能的5%，但到后年这一比例将跃升至36%，凸显出人工智能硬件市场对高端制程的强烈依赖。这种产能需求的结构性变化，正在重塑全球半导体产业的竞争格局。
