5月24日消息，面对技术封锁，华为通过板级封装创新实现存储领域突破。
据国际存储行业权威媒体Blocks&Files率先报道，近日在巴黎华为IDI Forum 2026活动上，华为展示了基于自研Die-on-Board（板上裸片封装，简称DoB）封装技术的大容量SSD系列，目前已量产61.44TB和122.88TB两款产品，245TB版本也在规划中，为AI数据中心和海量存储场景提供国产化方案。
由于被列入美国实体清单，华为无法获取采用美国技术生产的最新3D NAND芯片，在原有库存耗尽后，只能使用长江存储等中国本土厂商生产的NAND闪存。如果继续沿用行业通用的传统封装方案，其SSD产品在容量上会明显落后于主流厂商的同类产品。
正是在这样的背景下，华为选择绕开3D NAND层数竞赛，转而在板级封装领域进行底层创新，通过将NAND裸片直接堆叠在PCB板上的方式，实现了比传统NAND封装更高的容量密度，同时通过更紧密的芯片集成降低了生产成本。
DoB板上裸片封装是华为自研的晶圆级组装技术，其核心逻辑与行业通用的传统SSD封装存在本质区别。
三星、铠侠、美光等主流厂商均采用先封装后焊接的传统模式，即先将NAND闪存裸片放入TSOP（薄型小尺寸封装）或BGA（球栅阵列封装）的标准封装体内进行多芯片堆叠，制成独立的成品芯片后，再通过引脚或焊球焊接到SSD的PCB主板上。
其中TSOP是早期主流封装，引脚分布在芯片两侧。BGA则是当前通用方案，将引脚改为底部焊球，能容纳更多堆叠层，但两者都受限于封装体的固定物理尺寸，传统工艺最多只能实现16层裸片堆叠。
而板上裸片封装彻底跳过了NAND芯片的独立封装环节，直接将未经封装的NAND裸片焊接在SSD的PCB基板上。Blocks&Files指出，这种设计让华为能够在不依赖高堆叠层数3D NAND芯片的情况下，将单位空间内的容量密度提升了33%，同时突破了传统TSOP/BGA封装的16层堆叠物理限制，最高可实现36层裸片堆叠。
当然，这种封装方式也带来了散热管理和信号完整性两大行业难题，华为研发团队经过专项技术攻关，最终实现了该技术的规模化商用。
目前，这项自研技术已全面应用于华为企业级存储产品线。本次展会展示的OceanDisk 1800智能盘柜在2U空间内可提供1.47PB容量，OceanDisk 1610则能在相同空间内容纳36块61.44TB SSD，总容量达2.2PB。
事实上，早在去年8月，华为就已发布搭载板上裸片封装技术的Ocean StorPacific 9926全闪分布式存储，该产品2U机箱可容纳36块122.88TB NVMeSSD，提供4.42PB原始容量，经2.5:1压缩后有效容量达11PB。
对比来看，戴尔同规格2U机箱采用40块铠侠245.88TBE3.LSSD，可提供10PB原始容量，华为虽在单盘容量上仍有差距，但已大幅缩小与国际厂商的距离。
业内分析认为，板上裸片封装技术为国产存储开辟了一条绕开3D NAND层数限制的新路径，也为全球存储产业的技术演进提供了新方向。
