在存储芯片领域的技术竞赛中，铠侠近日宣布将第十代BiCS10 3D NAND闪存的量产计划列为2026财年核心战略。根据规划，这款采用332层堆叠架构的新品将于2026年5月至2027年3月期间启动量产，较三星与SK海力士的同类产品进度形成显著差异。目前全球三大NAND供应商中，铠侠成为首个明确高层数产品量产时间表的企业。
技术参数显示，BiCS10通过增加存储单元堆叠层数实现性能跃升。其332层架构较现款BiCS8的218层提升52%，位密度增长达59%。在接口标准方面，新品采用Toggle DDR 6.0技术，数据传输速率从3.6Gbps提升至4.8Gbps，增幅约33%。功耗控制方面取得突破性进展，输入功耗降低10%，输出功耗降幅达34%，单颗芯片在标准TLC模式下可实现2Tb存储容量。
架构设计上，BiCS10延续了CMOS直接键合阵列（CBA）技术路线。该方案通过将逻辑电路与存储阵列分别制造于不同晶圆后进行键合，在避免采用更复杂的PLC架构前提下，实现了存储密度与可靠性的平衡。这种创新设计有效降低了制造难度，为高层数堆叠提供了可行路径。
生产布局方面，铠侠将量产任务集中于日本岩手县北上市的K2工厂。这座新建厂区专门配置了适配高层NAND生产的设备集群，通过优化生产流程设计，使资本支出较传统新建工厂降低约30%。这种集中化生产策略既保证了技术保密性，又提升了资源利用效率。
尽管技术路线图已清晰呈现，但铠侠仍面临商业化的现实挑战。截至目前，公司尚未获得大规模订单确认，相关投资规模预计要到2026年下半年才能最终确定。量产时间表与实际市场需求的匹配度，将成为影响项目成败的关键变量。行业分析师指出，存储芯片市场周期性波动特征明显，高层数产品的商业化进程需要精准把握市场窗口期。
