美光科技在第六代高带宽内存HBM4的量产进程中取得显著进展，目前正稳步扩大产能，并计划于明年启动下一代HBM4E标准产品的规模化生产。这一消息由美光全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚在摩根大通投资者会议上披露，他特别强调HBM4的量产爬坡速度已达到前代12层HBM3E产品的两倍，良率提升效率也更为突出。
据技术团队介绍，HBM4的加速量产得益于三方面关键因素：首先是基于HBM3与12层HBM3E量产过程中积累的工艺经验，形成了显著的学习效应；其次是采用美光自主研发的10纳米级第五代1-beta（1β）工艺制造核心裸片，该工艺已通过大规模量产验证，在性能稳定性和良率控制方面达到行业领先水平；第三是通过优化基础裸片设计，与1β DRAM形成协同效应，进一步提升了产品的综合性能指标。
在下一代产品布局上，美光将调整部分生产策略。HBM4E的核心裸片将升级至10纳米级第六代1-gamma（1γ）工艺，这是美光首次引入ASML极紫外光刻设备的工艺节点，与三星电子、SK海力士的第六代1c工艺形成对标。值得注意的是，HBM4E的基础裸片生产将交由台积电代工，这种分工模式在高端存储芯片领域尚属首次。
巴蒂亚透露，HBM4E的开发工作进展顺利，首批产品将严格遵循JEDEC标准规范，同时针对特定客户需求开发定制化版本。尽管定制产品的成本结构较标准版高出约15%-20%，但美光认为其提供的性能优势和功能扩展性将赢得市场青睐，特别是在人工智能训练等对内存带宽要求严苛的场景中。
竞争对手方面，三星电子计划在今年第二季度向主要客户交付HBM4E工程样品，其基础裸片将采用与HBM4相同的4纳米工艺制造，由三星晶圆代工部门负责生产。SK海力士则将时间节点设定在下半年，其样品将采用台积电3纳米工艺代工的基础裸片，量产计划定于2025年启动。这三家存储巨头在HBM4E赛道上的技术路线差异，预示着高端内存市场的竞争将更加激烈。
从产能布局来看，美光预计到2024年中，基于1γ工艺的DRAM产品与第九代NAND闪存的位元出货量将占据公司总产能的半数以上。其中1γ DRAM有望成为美光晶圆厂中产量规模最大的单一工艺节点，这标志着美光在先进制程转型方面取得实质性突破，为其在AI存储市场争取更大份额奠定基础。
