美光科技在存储芯片领域持续发力，其第六代高带宽内存HBM4的产能扩张进展顺利，同时宣布计划于明年开启下一代HBM4E标准产品的量产进程。这一消息引发行业高度关注，标志着美光在高端存储芯片市场的竞争中迈出关键一步。
在摩根大通投资者会议上，美光全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚透露，HBM4的量产爬坡速度已达到去年12层HBM3E产品的两倍，良率提升效率也显著优于前代产品。该产品主要面向英伟达Vera Rubin AI计算平台，旨在满足人工智能领域对高性能存储的迫切需求。
HBM4量产提速的背后，是美光在技术积累与工艺创新上的双重突破。公司通过此前HBM3与12层HBM3E的量产经验，形成了显著的学习效应；核心裸片采用10纳米级第五代1-beta（1β）工艺，该工艺已成为美光主力制程，在性能与良率稳定性上得到充分验证；内部优化的基础裸片设计配合自主制造工艺，进一步提升了产品的综合性能。
从HBM4E开始，美光将调整生产策略以应对更高技术挑战。其核心裸片将升级至10纳米级第六代1-gamma（1γ）工艺，这是美光首次引入ASML极紫外光刻设备的工艺节点，与三星电子、SK海力士的第六代10纳米级1c工艺形成对标。基础裸片生产则交由台积电代工，这一转变标志着美光在供应链协作模式上的创新尝试。
巴蒂亚表示，HBM4E开发进展符合预期，首批产品将遵循JEDEC标准，同时针对特定客户需求开发定制版本。尽管定制产品成本较高，但美光认为其性能优势与功能扩展性将赢得市场青睐。三星电子与SK海力士也在加速HBM4E研发：三星计划今年二季度提供样品，基础裸片采用4纳米工艺；SK海力士则预计下半年交付样品，明年量产，并委托台积电以3纳米工艺生产基础裸片。
技术迭代正推动美光产品结构深度调整。公司预计，到今年年中，基于1γ工艺的DRAM与第九代NAND闪存将占据总位元出货量半数以上，其中1γ DRAM有望成为单一工艺节点中晶圆产量最大的品类。这一转变不仅体现美光在先进制程上的领先地位，更预示着存储芯片行业正加速向更高密度、更低功耗的方向演进。
