调研机构TrendForce最新分析指出，在存储芯片市场当前周期中，内存与闪存呈现出截然不同的供需态势。内存价格已飙升超5倍，而NAND闪存价格涨幅相对温和，其供需缺口扩大速度也明显慢于内存，预计明年将率先触及需求峰值，供应紧张局面有望得到缓解。
从需求结构来看，服务器领域占据NAND闪存位元需求超40%的份额，但智能手机与平板电脑合计占比仍接近40%，这两大消费电子品类对整体市场需求的拉动作用不可忽视。尽管消费市场疲软导致模组制造商库存有所上升，但存储制造商整体库存水平仍维持低位，其他类型买家的库存管理则处于可控范围。
根据TrendForce预测，2026年NAND闪存位元供需缺口将维持在-4%至-5%区间，供应短缺状态将持续存在。不过到2027年下半年，市场缺口有望转为正值，供应压力将得到显著缓解。相比之下，内存市场供需平衡点预计推迟至明年底，2028年甚至可能出现产能过剩，这种差异与当前AI市场需求结构密切相关——HBM产品严重短缺，对DRAM内存芯片产能形成持续挤压。
在生产难度方面，闪存制造工艺相对内存更为成熟，AI应用仅占其总需求的40%，传统消费电子领域的影响力仍与AI需求分庭抗礼。值得关注的是，小米近期将年度手机出货目标上调至1.1亿部以上，这一调整侧面印证了终端厂商对存储芯片需求前景的积极判断，反映出消费电子市场对存储供应链的信心正在恢复。
国产存储厂商在闪存领域的崛起速度令人瞩目。长江存储今年一季度全球市场份额已达13%，跃居行业第四，其扩产步伐明显快于国际竞争对手。按照当前发展态势，该企业有望在年底前跻身全球前三，未来两年更可能冲击第二大供应商地位，这将深刻改变全球闪存芯片产业格局。
