在NAND Flash闪存供应领域，三星与英伟达的合作正不断深化。据韩媒报道，三星正大幅扩大对英伟达的V-NAND（垂直NAND）供应，目前供应量已超过其总产能的60%。V-NAND作为一种通过纵向堆叠存储单元提升容量与密度的闪存架构，相比平面NAND，能在相同芯片面积内容纳更多存储层，广泛应用于企业级SSD、数据中心存储及高容量移动存储产品。
随着AI服务器规模的持续扩张，临时上下文数据（Key-Value cache，即KV缓存）的规模也在急剧增长，数据瓶颈问题日益凸显。为缓解这一限制，英伟达推出了Context Memory Storage（上下文内存存储，CMX）解决方案，而三星凭借其强大的产能优势，成为了这一方案的关键NAND供应方。
英伟达当前用于AI服务器的CMX系统搭载了576块SSD，总存储容量高达9600TB。业内预测，CMX对NAND的需求将在未来几年内大幅增长，2026年预计达到3500万TB，而到2027年更将激增至1亿TB以上。面对如此庞大的市场需求，三星计划依托其世界领先的产能，进一步巩固在英伟达CMX供应链中的核心地位。
在产线规划上，三星电子的V-NAND产能目前每月已超过10万片晶圆。其中，V9（286层）产品占据60%的产能，且良率已提升至80%以上，进入稳定量产阶段；而V8产品的占比则已降至40%以下，产能正迅速向V9转移。这一调整不仅提升了三星的整体产能效率，也为其在高端市场中的竞争提供了有力支持。
值得一提的是，三星正在研发的V10 NAND产品将提供更高的堆叠层数，使英伟达能够在同一CMX模块内配置更高容量的SSD，从而更有效地承接GPU外溢的上下文数据。这一技术突破将进一步增强三星在NAND闪存市场的领先地位。
在技术路线方面，三星并未止步于V10。据报道，该公司正积极研究面向英伟达CMX的V11 NAND技术，其最高堆叠高度可达500层，比V10多出100层。同时，V10的存储密度较V9（286层）已提高了50%，而V11的推出无疑将再次刷新这一纪录，为AI服务器等高端应用提供更强大的存储支持。
