据韩媒ZDNET Korea报道，SK海力士正通过其美国加州圣何塞的子公司启动专项人才招募计划，重点聚焦DRAM-逻辑3D堆叠技术领域。这一战略布局旨在强化设备端人工智能（AI）芯片的研发能力，以应对快速演进的市场需求。
招聘启事明确指出，团队将与美国核心客户展开深度协作，主导3D堆叠DRAM与逻辑芯片的联合设计工作。企业方强调，目标是通过创新架构提供适配前沿技术的芯片解决方案，特别针对大型端侧AI模型的运算需求进行优化。当前标准低功耗双倍数据速率存储器（LPDDR）受限于位宽设计，难以高效支撑复杂AI推理任务，这成为技术突破的关键动因。
3D垂直堆叠技术通过将DRAM芯片与逻辑芯片进行立体集成，在层间构建大量短距离输入输出（I/O）通道。这种架构革新可显著提升数据传输带宽，同时将信号延迟降低至传统设计的三分之一以下，能源效率亦获得实质性改善。据行业观察，三星、美光等头部企业均已在该领域投入研发资源，试图抢占设备端AI硬件市场的先发优势。
业内人士分析，SK海力士此举标志着存储器厂商正从单一组件供应向系统级解决方案提供商转型。随着生成式AI应用向移动终端渗透，具备高带宽、低功耗特性的3D堆叠芯片将成为智能设备核心竞争力的关键要素。此次技术团队的组建规模与人才标准，或将直接影响企业在下一代AI硬件市场的竞争格局。
