SK海力士近日宣布，其董事会已正式批准一项总额达54万亿韩元（约合2567亿元人民币）的重大建厂投资计划，旨在通过新建两座半导体工厂满足人工智能产业对存储芯片日益增长的需求。此次投资将分别用于龙仁Y2 DRAM晶圆厂和清州M17 NAND闪存晶圆厂的建设，形成高端存储芯片的协同生产能力。
作为龙仁半导体产业集群规划中的第二座工厂，Y2项目总投资35.2万亿韩元（约1673亿元人民币），总建筑面积达113万平方米。该工厂将专注于生产HBM等新一代高带宽内存产品，定位为高端DRAM生产基地。项目计划于2027年7月启动建设，2029年6月完成首个无尘室建设，全部投资将分阶段实施至2031年10月。目前，龙仁园区一期水电基础设施已完成99%的建设进度，为项目推进提供了坚实保障。值得注意的是，SK海力士已将整个龙仁集群的完工时间从原定的2045年大幅提前至2033年，Y2工厂成为实现这一目标的关键节点。
清州M17项目则聚焦NAND闪存产能扩张，总投资19.1万亿韩元（约908亿元人民币），建筑面积68万平方米。依托清州地区成熟的NAND产线和完备的水电配套设施，该工厂建设进度将显著加快。项目计划于2027年2月开工，2028年12月启用首间无尘室，投资周期至2031年4月。建成后，M17将专注于企业级SSD、AI推理KV缓存等应用场景的NAND闪存生产，并与现有M11、M12、M15产线形成协同效应，构建完整的存储芯片生产体系。
行业分析机构Omdia预测，2025至2030年间，DRAM和NAND市场的年均需求增速将达到19%。面对这一市场机遇，SK海力士强调，存储器已成为AI算力基础设施的核心组成部分，行业正进入结构性增长周期。公司指出，在技术竞争日益激烈的背景下，单纯依靠技术优势已不足以确保市场地位，能够稳定交付足量产能将成为决定企业竞争力的关键因素。此次大规模投资正是SK海力士为巩固行业领先地位所做出的重要战略部署。
