英伟达近期对下一代旗舰GPU Rubin Ultra的显存配置进行大幅调整，引发全球内存市场剧烈震荡。据供应链消息，英伟达将原定的12-Hi HBM配置从384GB削减至8-Hi 192GB，单卡显存容量近乎腰斩，GPU芯粒数量也从4-die缩减为2-die，整机功耗随之降低500W。这一决策直接导致SK海力士美股ADR单日暴跌4.97%，韩股次日跌幅超10%，连带存储行业相关企业股价集体承压。
内存市场周期性转折的信号愈发明显。闪迪公司发布的2026财年第四季度财报显示，其营收达89.7亿美元，同比激增372%，净利润更创下69亿美元的历史纪录，全年净利润达114亿美元。但市场并未买账，财报发布后股价盘后一度跌超8%，最终收跌约5%。这种业绩与股价背离的现象并非个例，三星电子二季度营业利润同比暴涨1814%，市值却蒸发244.8万亿韩元；SK海力士单季营业利润突破60万亿韩元，股价仍创下19%的历史最大单日跌幅。
行业分析指出，内存股集体遇冷的根源在于增长预期的修正。闪迪Q4营收环比增长51%中，三分之二来自价格上扬，仅三分之一源于出货量增加。当Q1营收指引环比增速骤降至17.6%时，市场迅速意识到NAND涨价周期可能见顶。TrendForce预测，2027年下半年NAND Flash供给将趋向宽松，价格面临修正压力，DRAM虽因HBM产能排挤和AI需求支撑稍显乐观，但长期增长空间同样受限。
英伟达的配置调整成为压垮市场的最后一根稻草。HBM作为存储芯片领域利润最丰厚的品类，占SK海力士营收比重高达70%。Rubin Ultra原本规划的12层堆叠HBM4e方案，单颗GPU对应HBM价值量超224万美元，调整后降至约90万美元，降幅远超50%。更令韩厂担忧的是，HBM4e作为SK海力士利润率最高的产品线，其良率劣势可能因方案变更被竞争对手缩小差距。
国产存储厂商的崛起为市场增添新变量。长鑫科技7月科创板上市首日市值突破3.28万亿元，其全球DRAM市场份额从2025年一季度的3%跃升至2026年一季度的8%。技术层面，长鑫已实现DDR5和LPDDR5规模化量产，17纳米4F工艺避开EUV光刻机限制，但HBM领域仍与韩厂存在代差。产能扩张方面，长鑫计划到2026年末将月产能提升至30万片，并在北京筹建第二座DRAM工厂，上海HBM封测厂预计2027年初投产。
客户端需求变化正在重塑供应链格局。苹果为降低iPhone制造成本，首次向长鑫探讨LPDDR5X采购合作，意图通过引入新供应商迫使韩企降价。但长鑫拒绝参与价格战，其高端型号报价甚至高于三星，且30万片月产能已被国内硬件厂商和云服务商预定一空。这种供需格局变化，使得国产存储厂商在价格谈判中掌握更多主动权。
