英特尔在先进芯片制造领域取得一项重要进展，其晶圆代工部门宣布，利用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术处理的晶圆数量已突破百万片。这一成果覆盖了设备认证、测试研发及部分产品层的量产环节，显示出该技术正从实验室走向实际生产应用。
高数值孔径EUV是传统EUV光刻技术的升级版，其物镜数值孔径从0.33提升至0.55，能够在晶圆表面实现更精细的图形刻画。这一改进不仅有望简化部分复杂的多重曝光工艺，还可能提升芯片的晶体管密度，降低制造复杂度，并带来性能与能效的潜在提升。不过，该技术对设备成本和工艺控制的要求也更为严格。
据英特尔透露，其高数值孔径EUV晶圆处理总量已超过全球其他采用该技术的芯片制造商的总和，进一步巩固了其在新型光刻技术领域的领先地位。目前，英特尔已在俄勒冈州部署了至少三台高数值孔径EUV光刻机，并将其应用于部分Intel 18A制程的生产中。
在具体应用方面，英特尔采用该技术制造的Panther Lake处理器部分层在套刻精度、生产吞吐量和设备可用率等关键指标上均达到预期目标。值得注意的是，英特尔并未将整个18A制程全部切换至新设备，而是选择在关键层进行试产，同时保留传统0.33数值孔径EUV设备进行相同层次的加工，以便直接对比两种技术路径的制造表现。结果显示，采用高数值孔径EUV生产的18A层在性能上已达到甚至超越传统EUV平台对应的层级。
在技术兼容性方面，英特尔表示，客户目前仍可通过现有6英寸光掩模使用高数值孔径EUV技术，既可在掩模限定范围内设计芯片，也可借助拼接技术和工艺设计套件（PDK）满足更大面积的制造需求。这一灵活性为芯片设计提供了更多选择。
英特尔强调，随着AI产品对制造技术要求的不断提升，高数值孔径EUV技术的推广显得尤为重要。该技术不仅需要满足更高的性能和密度需求，还需具备稳定的量产能力和较低的采用门槛。通过率先将高数值孔径EUV引入生产环境，英特尔希望为合作伙伴提供更成熟、可靠的先进制程解决方案。
