全球半导体巨头正加速布局下一代存储芯片制造技术。SK海力士近日宣布，计划在2028年将High NA（高数值孔径）极紫外光刻技术应用于DRAM大规模生产，这项技术可显著提升芯片制造的精度与效率。目前该公司正在评估是否加入由ASML牵头组建的产业联盟，该联盟旨在推动12英寸光罩等关键设备的标准化进程。
ASML于本月8日正式启动High NA EUV生态系统建设，首批合作伙伴包括台积电、三星电子和英特尔。这项合作聚焦于开发适用于12英寸晶圆的光罩技术，相比传统8英寸光罩可实现更高的曝光面积和更精细的电路刻画。值得注意的是，三星电子在同期发布的新闻稿中明确表示，将在2028年把该技术导入先进DRAM产线，与SK海力士形成直接竞争。
美国存储芯片制造商美光科技也公布了类似技术路线图，其第7代10nm级DRAM工艺（1δ）将采用最新一代EUV光刻设备。这项技术升级预计可使单芯片容量提升25%，同时降低15%的功耗。随着三大存储厂商相继公布技术升级计划，全球半导体产业正进入新一轮军备竞赛，设备供应商与芯片制造商的协同创新成为关键突破口。
