日本东京大学的科学家宣布他们研制出了一种新的Flash闪存，可以减少我们对数据安全性的担心，这种名叫ferroelectric Nand Flash （FNF）的闪存可被重复擦写1亿次，而目前的闪存寿命大约为50万次。
这种芯片基于10纳米技术制造，而目前的Flash则为30纳米，这可以有效提升存储密度，并且读写所需的电力也更少。
但目前尚不了解什么时候才能看到运用此种技术的商品出现。
Current Flash chips are estimated to have a useful lifetime of around a decade
